制造商 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 存储器类型 | 非易失 |
存储器格式 | 闪存 | 技术 | FLASH - NOR |
存储容量 | 32Mb(4M x 8) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O,QPI |
时钟频率 | 133 MHz | 写周期时间 - 字,页 | 60µs,2.4ms |
访问时间 | 7 ns | 电压 - 供电 | 1.65V ~ 2V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOP |
基本产品编号 | GD25LQ32 |
GD25LQ32ESIGR 是由 GigaDevice Semiconductor(北京兆易创新)制造的一款高性能非易失性闪存存储器,采用了 NOR 闪存架构,具有出色的读取和写入性能,适合多种嵌入式应用场景。这款器件的存储容量为 32Mb(即 4M x 8),并支持丰富的接口和功能,满足现代电子设备对存储器的需求。
GD25LQ32ESIGR 适用于多种领域,包括但不限于:
GD25LQ32ESIGR 作为一款高性能的 NOR FLASH 存储器,凭借其快速的访问速度、低功耗特性以及广泛的应用场景,成为现代电子产品中不可或缺的组成部分。随着技术的不断进步,GigaDevice 提供的这款闪存产品,必将在日益复杂和智能化的电子设备中发挥更重要的作用。无论是在硬件设计、开发还是在实际的应用场景中,GD25LQ32ESIGR 都展现了其独特的价值和优势,为用户提供了高效可靠的存储解决方案。