GD25Q16ESIGR 产品实物图片
GD25Q16ESIGR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

GD25Q16ESIGR

商品编码: BM0218558642
品牌 : 
Gigadevice(北京兆易创新)
封装 : 
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 133MHz 16Mbit SPI 2.7V~3.6V SOP-8-208mil
库存 :
28(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.68
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.68
--
100+
¥1.3
--
1000+
¥1.08
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

GD25Q16ESIGR参数

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited包装卷带(TR)
零件状态在售存储器类型非易失
存储器格式闪存技术FLASH - NOR
存储容量16Mb(2M x 8)存储器接口SPI - 四 I/O
时钟频率133 MHz写周期时间 - 字,页70µs,2ms
访问时间7 ns电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)供应商器件封装8-SOP
基本产品编号GD25Q16

GD25Q16ESIGR手册

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GD25Q16ESIGR概述

GD25Q16ESIGR 产品概述

制造商概览 GD25Q16ESIGR 是由GigaDevice Semiconductor (HK) Limited制造的一款高性能 NOR Flash 存储器。GigaDevice 是一家知名的集成电路设计公司,致力于提供高质量的存储解决方案,广泛应用于消费电子、通讯、工业控制及物联网设备等多个领域。

产品基本信息 GD25Q16是一款为先进应用设计的16兆位(2M x 8)非易失性闪存,采用4线串行外设接口(SPI)通信,能够提供高达133 MHz的时钟频率。这使得它在数据传输速率和系统响应时间上具备优异的性能。GD25Q16的访问时间为7 ns,这对于需要快速读写操作的应用来说至关重要。

电气特性 该产品的工作电压范围为2.7V至3.6V,这为系统设计提供了灵活的电源管理方案。GD25Q16的写周期时间为70µs(字)以及2ms(页),这确保了在频繁的读写操作下,依然能够实现较高的效率。同时,该Flash存储器的工作温度范围为-40°C至85°C,适用于广泛的温度环境,满足工业及汽车应用的需求。

封装与安装 该器件采用了表面贴装型的8-SOIC封装(0.209英寸, 5.30mm宽),体积小巧,便于集成到各类电路板中。它的包装形式为卷带(TR),使得在生产线上的表面贴装过程更加高效,减少了空间的占用并提高了生产效率。GD25Q16的封装尺寸和设计使之适用于空间受限的应用。

应用领域 得益于其出色的性能与灵活的特性,GD25Q16在多个应用场景中表现突出。广泛用于消费电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等;在通信设备中,如路由器和网络交换机;在工业控制领域中,如传感器和PLC等。它还适用于物联网设备以及智能家居应用中,因其低功耗和快速存取特性,特别适合需要高频次读写的非易失性存储需求。

总结 GD25Q16ESIGR是GigaDevice推出的一款高性能、低功耗的NOR Flash存储器,具备卓越的读写性能、广泛的工作温度范围和灵活的电压需求,充分满足现代电子设备对非易失性存储的需求。凭借其便捷的封装形式和高效的生产方式,GD25Q16在众多应用领域展现出不可或缺的优势,是设计师和工程师在设计存储解决方案时的理想选择。无论是汽车电子、工业控制,还是消费类电子产品,GD25Q16都能够为用户提供稳定可靠的数据存储支持。