制造商 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 存储器类型 | 非易失 |
存储器格式 | 闪存 | 技术 | FLASH - NOR |
存储容量 | 16Mb(2M x 8) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
时钟频率 | 133 MHz | 写周期时间 - 字,页 | 70µs,2ms |
访问时间 | 7 ns | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOP |
基本产品编号 | GD25Q16 |
制造商概览 GD25Q16ESIGR 是由GigaDevice Semiconductor (HK) Limited制造的一款高性能 NOR Flash 存储器。GigaDevice 是一家知名的集成电路设计公司,致力于提供高质量的存储解决方案,广泛应用于消费电子、通讯、工业控制及物联网设备等多个领域。
产品基本信息 GD25Q16是一款为先进应用设计的16兆位(2M x 8)非易失性闪存,采用4线串行外设接口(SPI)通信,能够提供高达133 MHz的时钟频率。这使得它在数据传输速率和系统响应时间上具备优异的性能。GD25Q16的访问时间为7 ns,这对于需要快速读写操作的应用来说至关重要。
电气特性 该产品的工作电压范围为2.7V至3.6V,这为系统设计提供了灵活的电源管理方案。GD25Q16的写周期时间为70µs(字)以及2ms(页),这确保了在频繁的读写操作下,依然能够实现较高的效率。同时,该Flash存储器的工作温度范围为-40°C至85°C,适用于广泛的温度环境,满足工业及汽车应用的需求。
封装与安装 该器件采用了表面贴装型的8-SOIC封装(0.209英寸, 5.30mm宽),体积小巧,便于集成到各类电路板中。它的包装形式为卷带(TR),使得在生产线上的表面贴装过程更加高效,减少了空间的占用并提高了生产效率。GD25Q16的封装尺寸和设计使之适用于空间受限的应用。
应用领域 得益于其出色的性能与灵活的特性,GD25Q16在多个应用场景中表现突出。广泛用于消费电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等;在通信设备中,如路由器和网络交换机;在工业控制领域中,如传感器和PLC等。它还适用于物联网设备以及智能家居应用中,因其低功耗和快速存取特性,特别适合需要高频次读写的非易失性存储需求。
总结 GD25Q16ESIGR是GigaDevice推出的一款高性能、低功耗的NOR Flash存储器,具备卓越的读写性能、广泛的工作温度范围和灵活的电压需求,充分满足现代电子设备对非易失性存储的需求。凭借其便捷的封装形式和高效的生产方式,GD25Q16在众多应用领域展现出不可或缺的优势,是设计师和工程师在设计存储解决方案时的理想选择。无论是汽车电子、工业控制,还是消费类电子产品,GD25Q16都能够为用户提供稳定可靠的数据存储支持。