DF3A6.2FV,L3F 产品实物图片
DF3A6.2FV,L3F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DF3A6.2FV,L3F

商品编码: BM0214068007
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
VESM
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
X34 PB-F VESM ZENER DIODE (LF)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.483
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.483
--
500+
¥0.322
--
4000+
¥0.28
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DF3A6.2FV,L3F参数

制造商Toshiba Semiconductor and Storage包装卷带(TR)
零件状态有源类型齐纳
电压 - 击穿(最小值)5.8V电源线路保护
应用通用不同频率时电容55pF @ 1MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-723供应商器件封装VESM
单向通道2基本产品编号TLP160

DF3A6.2FV,L3F手册

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DF3A6.2FV,L3F概述

DF3A6.2FV和L3F产品概述

一、产品简介

DF3A6.2FV和L3F是由东芝(Toshiba Semiconductor and Storage)制造的齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中,提供电压稳压和过电压保护功能。这些元器件在支持高温作业和提升电路性能方面表现出色,适用于需要高可靠性和稳定性的电子设备和系统。

二、核心参数

  1. 制造商:东芝(Toshiba Semiconductor and Storage)
  2. 产品类型:齐纳二极管
  3. 电压 - 击穿(最小值):6.2V
  4. 电源线路保护:无(适合直接用在高频电路中)
  5. 应用:广泛使用于电源管理、过压保护和信号稳定等应用
  6. 不同频率时电容:55pF @ 1MHz(确保高频应用中的稳定性)
  7. 工作温度:最高可达到150°C(TJ),适合高温环境下的应用
  8. 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化生产和提高装配精度
  9. 封装/外壳:采用VESM封装(SOT-723),其小巧的尺寸使其适合于空间受限的电子设备
  10. 基本产品编号:DF3A6.2FV

三、产品特点

  1. 高击穿电压:DF3A6.2FV的击穿电压为6.2V,能有效控制电路中的电压波动,保护下游元器件及电路不受损坏。

  2. 小型化设计:采用表面贴装技术,并结合VESM封装,DF3A6.2FV在节省电路板空间的同时,也能提高散热效率和整体电路的集成度。

  3. 兼容高温环境:可在高达150°C的工作温度下稳定运行,特别适合汽车、工业控制、航空航天等领域的高温应用。

  4. 广泛的应用范围:作为一种通用型的电压稳压元件,DF3A6.2FV在消费电子、通信设备和各类工业设备中都有广泛的应用,满足不同的电气需求。

四、应用场景

  1. 电源管理:在直流电源设备中,齐纳二极管常用于稳压电路,提供稳定的输出电压,以维持系统可靠性。

  2. 过电压保护:DF3A6.2FV能够快速响应电压尖峰,保护敏感的电子元器件不受到瞬时过压的影响。

  3. 信号稳压:在射频和数据通信电路中,齐纳二极管能够有效滤除干扰,保持信号的稳定性。

  4. 消费电子设备:在手机、平板和其他便携设备中,DF3A6.2FV被用作电源线路的保护和调节,确保设备的正常运行。

  5. 汽车电子系统:DF3A6.2FV具有高温工作能力,适合应用在汽车的各种控制单元中,保证其在恶劣环境下依然能够稳定工作。

五、总结

DF3A6.2FV和L3F齐纳二极管是东芝提供的一款性能优良的电子元件,凭借其卓越的电压稳压能力和高温抗性,成为现代电子设备中不可或缺的基础元件。其小型化设计与广泛的应用场景使其成为电子工程师在设计中优选的解决方案,通过合理的应用,它们可以有效提升产品的可靠性和稳定性。对于需要高性能与高可靠性的电路设计,DF3A6.2FV将是一个值得考虑的重要元器件。