TP0610T-G
TP0610T-G参数
| 制造商 | Microchip Technology | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB（SOT23） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60pF @ 25V |
TP0610T-G手册
TP0610T-G概述
TP0610T-G 产品概述
1. 概述
TP0610T-G 是一款由 Microchip Technology 生产的 P 通道 MOSFET（场效应管），专为高效能低功耗电路设计。它的主要功能是用于开关和线性调节应用，适用于各种电子设备的电流控制和负载开关。TP0610T-G 的设计目标是为用户提供可靠的工作性能，广泛应用于电源管理、马达驱动、信号调理和电池管理等领域。
2. 主要参数
- 制造商: Microchip Technology
- 封装类型: TO-236AB（SOT-23），一种小型化的表面贴装封装，有助于节省印刷电路板（PCB）的空间。
- 元件状态: 有源
- FET 类型: P 通道 MOSFET
- 电流 - 连续漏极 (Id): 120mA（Tj）
- 驱动电压: 4.5V 至 10V
- 导通电阻（Rds On）: 最大10欧姆 @ 200mA，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 2.4V @ 1mA
- 额定漏源电压（Vdss）: 60V
- 功率耗散（Pd）: 最大 360mW（Ta）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 输入电容 (Ciss): 最大60pF @ 25V
- 漏源电压: 60V
3. 特性与应用
TP0610T-G 的 P 通道设计使其在多种应用中具备优势，尤其是在需要对负载进行高效控制的电路中。以下是在该元件的应用场景中的几个主要特性：
低导通电阻: 该器件在导通状态下具有低导通电阻（Rds On），这一特性使得它在通电时可以更有效地传输电流，减少能量损失，进而提高系统效率。
广泛的工作温度范围: 随着温度的变化，该 MOSFET 仍能够在-55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，这使得它能够适应各种环境条件，包括极端高温或低温场所的电子应用。
紧凑的封装设计: TO-236AB（SOT-23）封装允许该元件在空间受限的应用中使用，例如便携式设备和小型家用电器。在设计 PCB 时，TP0610T-G 可以轻松集成，而不会占用过多空间。
4. 电气特性
TP0610T-G 的电气特性使其适用于许多不同的电路环境。例如，其最大漏极电流为 120mA，很适合用于处理小电流信号的电源管理应用。此外，其 60V 的漏源电压能够满足大多数低功率电源转换器和低损耗电源的需要。
5. 安装与兼容性
TP0610T-G 的表面贴装类型使得它适合于自动化生产线的高速贴片过程，减少生产成本并提高效率。此外，SOT-23 封装的广泛应用使得 TP0610T-G 与众多主流电路设计兼容，便于开发与集成。
6. 应用领域
- 电源管理: 常用于电源转换器和稳压器电路中，通过开关功能实现高效控制。
- 马达驱动: 在电机控制电路中，用于控制电机的启停及转速调节。
- 开关电源: 可用于 DC/DC 转换电源和 AC/DC 开关电源，增强系统的能效。
- 信号调理: 用于信号处理电路，确保信号的强度和质量。
7. 总结
TP0610T-G 是一款高度可靠、性能优异的 P 通道 MOSFET，适用于多种电子应用。其综合特性如低导通电阻、广泛的工作温度和紧凑的封装，使其在电源管理、马达驱动和信号控制等领域中具备重要的地位。Microchip Technology 的这款产品在当前及未来的电子设备中将会发挥越来越重要的作用。