制造商 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 存储器类型 | 非易失 |
存储器格式 | 闪存 | 技术 | FLASH - NOR |
存储容量 | 16Mb(2M x 8) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
时钟频率 | 133 MHz | 写周期时间 - 字,页 | 70µs,2ms |
访问时间 | 7 ns | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-XFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | 8-USON(2x3) |
基本产品编号 | GD25Q16 |
GD25Q16EEIGR 是由中国半导体制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 所推出的一款高性能 NOR Flash 存储器。这款器件以其出色的速度、耐用性和广泛的应用场景而受到电子产品开发者的广泛青睐。
GD25Q16EEIGR 具备多项优越特性,使其在当前市场中占据竞争优势。首先,采用 SPI 四 I/O 接口,能够实现更高的数据传输速率,相较于传统的 SPI 设计可以提供显著的性能提升。此外,器件最高支持 133 MHz 的时钟频率,使得数据读取和写入操作迅速而高效。同时,较短的写周期和访问时间使其特别适合对速度有较高要求的应用,如图像处理、音频数据存储以及实时操作系统的程序存储。
由于其采用的非易失性存储技术,即使在断电情况下,存储在 GD25Q16EEIGR 中的数据仍能持久保存,适合对数据安全有较高要求的电子设备。此外,其宽工作温度范围使得该器件能在严苛环境下正常工作,保证了其在汽车电子、工业控制、智慧家居等领域的广泛应用。
GD25Q16EEIGR 的应用场景非常广泛,以下是部分典型应用:
总之,GD25Q16EEIGR 是一款极具竞争力的 NOR Flash 存储器,凭借其卓越的性能、可靠性以及广泛的应用场景,完全配得上先进电子设备的存储需求。无论是在嵌入式系统、汽车电子还是消费性电子产品中,相信 GD25Q16 都能发挥其应有的价值,帮助开发者实现更高效、更可靠的产品设计。