GD25Q16EEIGR 产品实物图片
GD25Q16EEIGR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

GD25Q16EEIGR

商品编码: BM0134535055
品牌 : 
Gigadevice(北京兆易创新)
封装 : 
8-XFDFN 裸露焊盘
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 133MHz 16Mbit SPI 2.7V~3.6V USON-8(2x3)
库存 :
5(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.46
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.46
--
100+
¥2.46
--
750+
¥2.46
--
1500+
¥2.46
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

GD25Q16EEIGR参数

制造商GigaDevice Semiconductor (HK) Limited包装卷带(TR)
零件状态在售存储器类型非易失
存储器格式闪存技术FLASH - NOR
存储容量16Mb(2M x 8)存储器接口SPI - 四 I/O
时钟频率133 MHz写周期时间 - 字,页70µs,2ms
访问时间7 ns电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装8-USON(2x3)
基本产品编号GD25Q16

GD25Q16EEIGR手册

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无数据

GD25Q16EEIGR概述

GD25Q16EEIGR 产品概述

一、产品简介

GD25Q16EEIGR 是由中国半导体制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 所推出的一款高性能 NOR Flash 存储器。这款器件以其出色的速度、耐用性和广泛的应用场景而受到电子产品开发者的广泛青睐。

二、基本参数

  • 存储器类型: 非易失性
  • 存储容量: 16Mb(即 2M x 8 位),适合存储大量数据。
  • 技术: FLASH - NOR
  • 存储器接口: SPI 四 I/O 通信接口,能够提供高数据传输效率。
  • 时钟频率: 最高可达 133 MHz,确保快速数据读取和写入。
  • 写周期时间:
    • 字写入周期为 70µs;
    • 页写入周期为 2ms,满足快速数据更新的需求。
  • 访问时间: 仅为 7ns,意味着可以在极短的时间内访问存储的数据。
  • 电压范围: 工作电压在 2.7V 到 3.6V之间,适配多种应用场景。
  • 工作温度范围: -40°C 到 85°C,适合在各种恶劣环境下稳定工作。
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),适合现代电子产品的小型化设计。
  • 封装/外壳类型: 采用 8-XFDFN 裸露焊盘封装(USON-8),便于集成和安装。

三、特性与优势

GD25Q16EEIGR 具备多项优越特性,使其在当前市场中占据竞争优势。首先,采用 SPI 四 I/O 接口,能够实现更高的数据传输速率,相较于传统的 SPI 设计可以提供显著的性能提升。此外,器件最高支持 133 MHz 的时钟频率,使得数据读取和写入操作迅速而高效。同时,较短的写周期和访问时间使其特别适合对速度有较高要求的应用,如图像处理、音频数据存储以及实时操作系统的程序存储。

由于其采用的非易失性存储技术,即使在断电情况下,存储在 GD25Q16EEIGR 中的数据仍能持久保存,适合对数据安全有较高要求的电子设备。此外,其宽工作温度范围使得该器件能在严苛环境下正常工作,保证了其在汽车电子、工业控制、智慧家居等领域的广泛应用。

四、应用领域

GD25Q16EEIGR 的应用场景非常广泛,以下是部分典型应用:

  • 消费电子: 包括数字相机、MP3 播放器等需要快速存储和读取数据的设备。
  • 工业控制: 如 PLC(可编程逻辑控制器),用于实时数据存储和程序运行。
  • 汽车电子: 在传感器与控制单元之间快速存储重要数据,确保车辆运行的稳定性。
  • 通信设备: 盛装固件及数据,以便在运行过程中进行高速读写。
  • 智能家居: 设备固件更新和数据存储,提升智能家居产品的智能程度和响应速度。

五、结论

总之,GD25Q16EEIGR 是一款极具竞争力的 NOR Flash 存储器,凭借其卓越的性能、可靠性以及广泛的应用场景,完全配得上先进电子设备的存储需求。无论是在嵌入式系统、汽车电子还是消费性电子产品中,相信 GD25Q16 都能发挥其应有的价值,帮助开发者实现更高效、更可靠的产品设计。