2SC4117-GR,LF
2SC4117-GR,LF参数
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | 125°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | USM |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 120V |
| 功率 - 最大值 | 100mW | 基本产品编号 | TA78L018 |
2SC4117-GR,LF手册
2SC4117-GR,LF概述
产品概述：2SC4117-GR,LF
一、基本信息
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装类型：SOT-323
零件状态：有源
工作温度范围：高达125°C
器件封装：USM（用于表面贴装）
2SC4117-GR,LF 是一款高性能的 NPN 晶体管，专为各种低功耗电子电路设计。该器件非常适合用于信号放大、开关控制和小功率信号处理等应用。由于其较高的频率响应用途，尤其适用于 RF 应用和小型消费电子设备。
二、主要特点
高电压特性
2SC4117-GR,LF 的集射极击穿电压（Vce）最大值可达 120V，使其适用于高电压应用场景。这一特性使得该晶体管能够在较高的电压下稳定工作，适配更广泛的电路设计需求。
优异的电流和功率处理能力
- 最大集电极电流 (Ic)：100mA
- 最大功率输出：100mW
该晶体管能在不易过热的情况下处理高达100mA的电流，适合用于较高负载的应用。
低饱和压降
在不同的发射极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下，2SC4117-GR,LF 的饱和压降最大值为300mV (在1mA和10mA) 的表现，确保了在快速切换时的低功耗特性，有助于提高电路的整体能效。
高 DC 电流增益
- 最小 DC 电流增益 (hFE)：200 @ 2mA，6V
较高的电流增益值 (hFE) 提高了该晶体管在信号放大的效果，使其在低电流输入下充分发挥作用。
宽频率响应
最高频率跃迁可达 100MHz，适合用于无线频率和高频信号处理等应用。
三、应用领域
2SC4117-GR,LF 广泛应用于以下领域：
消费电子产品：由于其出色的性能，适合用于各种小型电子产品中的信号放大和开关控制。
无线通讯：具备高频响应能力，使其非常适合RF放大器和混频器等电路。
传感器电路：可用于烟雾探测器、温度传感器等各种传感器，帮助实现信号的处理与放大。
电源管理：可作为开关电路用于切换电源，帮助实现低功耗的电池管理系统。
四、竞争力
Toshiba 在半导体领域具备良好的声誉和技术基础，其生产的 2SC4117-GR,LF不仅在性能上表现突出，而且具有优良的成本效益比。此外，封装的 SC-70/SOT-323 类型使该器件在空间受限的应用中尤为重要，满足了当今电子产品不断向小型化发展的趋势。
五、总结
2SC4117-GR,LF 是一款高效能、有广泛应用前景的 NPN 晶体管，凭借其高电压承受能力、低饱和压降、优良的 DC 电流增益和小型化的封装，能够在多种电子设备中发挥重要的作用。无论是在消费电子、无线通信还是其他电子应用中，它都将是选型的良好选择。