制造商 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 存储器类型 | 非易失 |
存储器格式 | 闪存 | 技术 | FLASH - NOR |
存储容量 | 64Mb(8M x 8) | 存储器接口 | SPI - 四 I/O |
时钟频率 | 133 MHz | 写周期时间 - 字,页 | 70µs,2.4ms |
访问时间 | 7 ns | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOP |
基本产品编号 | GD25Q64 |
GD25Q64ETIGR 是 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited 旗下的一款高性能 NOR Flash 存储器,具有64Mb (8M x 8) 的存储容量。该产品采用了 SPI 四 I/O 接口,能够在高达 133 MHz 的时钟频率下工作。这一特性使其成为嵌入式系统、消费电子以及工业应用领域的理想选择。
作为非易失性存储器,GD25Q64ETIGR 在断电情况下能够安全保留数据。其基于 FLASH - NOR 技术,该技术以其快速的读取速度、随机读取能力和可靠的数据保持特性而广泛应用于各种电子设备。NOR Flash 使得数据访问更加高效,尤其适合要求快速启动和执行代码的嵌入式应用。
GD25Q64ETIGR 提供高达 64Mb 的存储容量,满足大多数现代电子设备对存储的需求。同时,产品的访问时间仅为 7 ns,这使其能够快速响应数据读写请求,提高整体系统性能。对于页面编程,GD25Q64ETIGR 的写周期时间为 70μs,而整页写入时间为 2.4ms,确保在较复杂的数据传输情景下也能保持良好的性能。
GD25Q64ETIGR 在电源供应方面具有广泛的灵活性,工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,适配不同的设计需求。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 85°C,支持在各种恶劣环境条件下的应用,尤其适用于工业控制和户外设备等领域。
该产品采用 8-SOIC 的封装形式,宽度为 3.90mm,适合表面贴装技术(SMD)。这种表面贴装设计不仅节省了板上空间,还实现了更高的组装密度,使得 GD25Q64ETIGR 可以灵活应用于各类有限空间的设备中。
由于其优异的性能指标和广泛的工作特性,GD25Q64ETIGR 被广泛应用于以下领域:
总之,GD25Q64ETIGR 作为 GigaDevice Semiconductor 推出的一款高性能 NOR Flash 存储器,凭借其紧凑的尺寸、快速的访问速度和广泛的工作电压范围,完全能够满足现代电子设备对存储的高要求。无论是在消费电子还是工业市场,该产品都提供了可靠的解决方案,是设计工程师的重要选择。