STP24N60DM2产品品牌
意法半导体（STMicroelectronics）是一家知名的半导体公司，总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎。该公司成立于1987年，是全球领先的集成电路制造商之一。
意法半导体致力于设计、制造和销售各种半导体解决方案，涵盖微控制器、模拟芯片、功率管理芯片、传感器以及存储器等产品。这些产品广泛应用于消费类电子、工业自动化、汽车电子、通信设备等领域。
作为一家全球性的企业，意法半导体在亚洲、欧洲和美洲都设有研发中心和生产基地，并拥有庞大的销售网络和客户服务团队。该公司以其丰富的技术积淀和创新能力而闻名，并在全球范围内与众多行业领先企业建立合作关系。
综上所述，意法半导体是一家跨国的知名半导体公司，在集成电路领域具有广泛影响力并持续推动行业创新与发展。
STP24N60DM2产品参数
产品参数
FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）200 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）29nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1055pF @ 100V
功率耗散（最大值）150W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔供应商器件封装TO-220
STP24N60DM2产品手册
Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VGS Gate-source voltage ± 25 V ID Drain current (continuous) at TC = 25 °C 18 A ID Drain current (continuous) at TC = 100 °C 11 A IDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Drain current (pulsed) 72 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 150 W dv/dt (2) 2. ISD ≤ 18 A, di/dt ≤ 400 A/μs; VDS peak < V(BR)DSS, VDD=400 V. Peak diode recovery voltage slope 40 V/ns dv/dt(3) 3. VDS ≤ 480 V MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns Tstg Storage temperature - 55 to 150 °C Tj Max. operating junction temperature Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit D2PAK TO-220 TO-247 Rthj-case Thermal resistance junction-case max 0.83 °C/W Rthj-pcb Thermal resistance junction-pcb max(1) 1. When mounted on 1 inch² FR-4, 2 Oz copper board 30 °C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient max 62.5 50 °C/W Table 4. Avalanche characteristics Symbol Parameter Value Unit IAR Avalanche current, repetitive or not repetitive (pulse width limited by Tjmax ) 3.5 A EAS Single pulse avalanche energy (starting Tj =25°C, ID= IAR; VDD=50) 180 mJ
