近日，中国存储器大厂长江存储（YMTC）将美光告上美国加州法院，指控美光侵犯其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储还要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

 

 

长江存储指出，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列） ，侵犯长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

 

美国商务部于2022年底将长江存储列入实体清单，导致该公司无法从美国公司获得先进半导体设备来制造领先的128 层及以上的3D NAND Flash 器件。

 

去年，该公司面临更大的问题，美国商务部禁止销售可用于制造超过128 个3D NAND 的晶圆厂工具和技术。

 

尽管一直受到美国政府的打压，长江存储仍继续努力透过原有的设备，及大陆国产设备发展3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。

 

并且在今年早些时候，长江存储宣布，已设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水准，这大大改善了廉价SSD的特性。此外，长江存储还在开发基于Xtacking 4.0架构的晶片，最快可能会在今年底出现，层数超过了300层。