美光近日宣布将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂，并引进极紫外光刻（EUV）设备，最快将于2027年底量产先进DRAM。
新厂的总投资额预计在6000亿至8000亿日元（约合38亿至51亿美元），2026 年初动工。这一投资将用于建设一个先进的制造设施，其中包括安装EUV设备。
美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入运营。但此前，由于市场状况不佳，这一建厂计划一度遭到搁置。而如今，随着芯片市场回暖，尤其是人工智能热潮下DRAM芯片需求火爆，美光科技又重新推动了这一计划。
广岛厂是2013年美光并购日本DRAM大厂尔必达（Elpida）后纳入的设施，有超过4000名工程师和技术人员。
美光公司日本负责人Joshua Lee去年12月曾表示，美光位于日本广岛的工厂将于2025年生产最先进的存储芯片“1γ（Gamma）DRAM”。此外该厂也将生产生成式AI用高带宽存储器（HBM）。
2023 年10 月日本经济产业省宣布，补助美光广岛厂最高1920亿日元（约合13亿美元）。
美光称包含广岛厂，数年内会投资日本最高5000亿日元。美光在日本的多个工厂，是其研发路线图和大规模生产的核心，用于美光在其产品线中的尖端 DRAM技术。
