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IPD135N03LGATMA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.481g
描述 :
功率场效应管 MOSFET N通道 30 V 30 A 0.0113 ohm TO-252 (DPAK) 表面安装
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.53按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.53
--
100+
￥1.95
--
1250+
￥1.7
--
37500+
产品参数
产品手册
常见问题
IPD135N03LGATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 31W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IPD135N03LGATMA1手册
无数据
IPD135N03LGATMA1问题
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