注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI2333DS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.054g
描述 :
场效应管(MOSFET) 750mW 12V 4.1A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
6000(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.29按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.29
--
100+
￥1.83
--
750+
￥1.64
--
1500+
￥1.55
--
3000+
￥1.47
--
30000+
产品参数
产品手册
常见问题
SI2333DS-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 6V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2333DS-T1-GE3手册
SI2333DS-T1-GE3问题
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