8205A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

8205A

商品编码: BM0226612892
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
SOT-23-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 830mW 20V 5A 2个N沟道 SOT-23-6
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.774
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.774
--
200+
¥0.115
--
1500+
¥0.112245
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

8205A参数

功率(Pd)830mW反向传输电容(Crss@Vds)145pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@2.5V,3A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)23nC@20V
漏源电压(Vdss)20V类型2个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)630pF@10V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

8205A手册

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8205A概述

产品概述:8205A 场效应管 (MOSFET)

概念与应用

8205A 是一款高效能的场效应管(MOSFET),属于 N 沟道类型,具有较低的导通电阻和优秀的热性能,非常适合于多种电子设备的功率管理和开关电路。由于其良好的电性能和宽广的工作温度范围,8205A 可应用于移动设备、LED 驱动器、工业控制、消费电子、DC-DC 转换器等领域。

主要参数

8205A 具有以下基础参数:

  • 功率 (Pd):830mW。这一功率输出使其适用于低功率应用。

  • 漏源电压 (Vdss):最大可承受电压为 20V,适合用在低压电源系统中。

  • 连续漏极电流 (Id):5A,表明其可以处理的电流范围适中,能满足大部分中小功率场合的需求。

  • 导通电阻 (RDS(on)):36mΩ @ 2.5V, 3A,该参数说明其在导通状态下损耗较小,从而提高了整体效率。

  • 反向传输电容 (Crss@Vds):145pF,这意味着在工作频率较高的应用中,其开关速度相对较快。

  • 输入电容 (Ciss@Vds):630pF @ 10V,表示其在开关操作时的输入负载相对较低,提高了驱动电路的效率。

  • 栅极电荷 (Qg@Vgs):23nC @ 20V,此参数反映了栅极的充电需求,在驱动设计中必须考虑,其较小的电荷值有助于提高开关速度。

  • 阈值电压 (Vgs(th)@Id):1.2V @ 250uA,具有良好的开关特性,确保在较低的栅极电压下能够快速导通。

  • 工作温度范围:-55℃~+150℃,使其在极端环境下依然能够稳定工作,适合各种工业应用。

封装与设计

8205A 采用 SOT-23-6 封装,其小巧的尺寸非常适合布线密集的小型电路板。SOT-23-6 封装设计有助于减小PCB面积,同时提高散热效率。该组件的结构设计使得焊接与嵌入电路板的过程方便且可靠,适用于大规模生产。

性能优势

  1. 高效率:由于其低导通电阻,8205A 能够有效降低功率损耗,提升整体电路效率。

  2. 高可靠性:工作的温度范围广泛,使其在各种环境下都能稳定工作,降低故障率。

  3. 灵活适用:8205A 可用于多种功率控制和转换应用中,从简单的开关电路到复杂的 DC-DC 转换器等场景。

  4. 快速响应:较低的输入电容和栅极电荷意味着在高频开关应用中表现卓越,适合现代高效电源设计需求。

总结

8205A MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适合各种应用场合。其出色的电气特性、宽广的工作条件以及小巧的封装设计,使其成为了工程师在选择场效应管时的优选产品。在进行电路设计时,如果对功率、效率和空间都有高要求,8205A 无疑是一款理想的解决方案。