功率(Pd) | 300mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | PNP |
特征频率(fT) | 150MHz | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@50mA,1V |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@500mA,50mA |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极电流(Ic) | 500mA |
S8550 产品概述
S8550 是一种高性能的PNP型双极晶体管(BJT),专为低功耗和高频率应用设计。它在电子产品中应用广泛,尤其是在音频放大器、开关电源和信号调理电路中。其主要特点包括优良的电流增益、适中的频率响应和出色的热稳定性,使其成为多种电子设计中理想的选择。
产品规格
功率和电流:S8550 具有最大功耗为300mW 和最大集电极电流为500mA 的规格。这使得它能够在较高的负载下工作而不至于过热,从而提高系统的可靠性和效率。
电压特性:该三极管的集射极击穿电压(Vceo)为25V,意味着它能够在较高电压的环境中稳定工作。这使得 S8550 在需要处理大电压的应用中尤为重要,如音频放大器和功率固态继电器。
频率响应:S8550 的特征频率(fT)为150MHz,意味着它适用于高频应用。在设计中使用时,尤其适合用于高速开关应用和射频(RF)信号放大,这使得它成为无线通信和其他高频设备的热门选择。
增益特性:其直流电流增益(hFE)在集电极电流为50mA、Vce为1V 时可达120,表明S8550在一定条件下能够有效地放大输入信号。该增益特性在保持较低功耗的同时,提供足够的放大能力,适合多种线性放大应用。
饱和电压特性:S8550 的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))为600mV,在500mA 集电极电流和50mA 基极电流的情况下,这一特性对设计者来说非常关键,因为它表示在开关状态下该器件能够达到较低的开关损耗。
环境适应性:该三极管的工作温度范围从-55℃到+150℃,使其能够在极端的环境中运行,不仅适用于消费电子产品,还广泛应用于工业设备、汽车电子和航空航天设备等苛刻条件下的电路。
封装:S8550 采用 SOT-23 封装,这种小型封装适合高密度电路设计,有助于节省空间,同时其优良的散热特性保证了高功率下的稳定运行。
应用领域
S8550 在现代电子产品中的应用十分广泛,包括但不限于:
总结
总之,S8550 是一款功能强大、灵活多用的PNP型三极管,凭借其在功耗、电流、电压、频率等方面的卓越性能,满足了各种高频电子设计的需求。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域,S8550 都展示了卓越的性能和广泛的应用潜力,是设计人员不可或缺的选择。