SS8050 产品实物图片
SS8050 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SS8050

商品编码: BM0226578602
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 25V 1.5A NPN SOT-23-3
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.293
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.293
--
200+
¥0.043
--
1500+
¥0.042525
--
3000+
¥0.0421
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SS8050参数

功率(Pd)300mW商品分类三极管(BJT)
工作温度-55℃~+150℃晶体管类型NPN
特征频率(fT)100MHz直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@100mA,1V
集射极击穿电压(Vceo)25V集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@800mA,80mA
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极电流(Ic)1.5A

SS8050手册

SS8050概述

SS8050 三极管(BJT)产品概述

概要

SS8050 是一种高性能的 NPN 双极结晶体管(BJT),由友台半导体(UMW)制造,适用于各种电子设备和系统。以下是对 SS8050 的详细介绍,包括其关键参数、特性和应用场景。

基础参数

  • 功率(Pd): 300 mW
  • 商品分类: 三极管(BJT)
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃
  • 晶体管类型: NPN
  • 特征频率(fT): 100 MHz
  • 直流电流增益(hFE@Ic, Vce): 120 @ 100 mA, 1 V
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25 V
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic, Ib): 500 mV @ 800 mA, 80 mA
  • 集电极截止电流(Icbo): 100 nA
  • 集电极电流(Ic): 1.5 A

封装和品牌

  • 封装: SOT-23-3
  • 品牌: 友台半导体(UMW)

特性

高电流能力

SS8050 具有高达 1.5 A 的集电极电流,这使其适用于需要较高驱动能力的应用,如电机驱动、继电器驱动和高功率放大器。

宽工作温度范围

该三极管的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃,这使其在极端环境下也能保持稳定运行,非常适合用于工业控制、汽车电子和航空航天等领域。

低饱和电压

SS8050 的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))仅为 500 mV @ 800 mA, 80 mA,这意味着在饱和状态下能耗较低,提高了系统的整体效率。

高频性能

特征频率(fT)达到 100 MHz,这使得 SS8050 适用于中高频应用,如无线通信设备、音频设备和其他需要高频性能的电子系统。

应用场景

电机驱动

由于其高集电极电流和低饱和电压,SS8050 非常适合用于电机驱动应用。它可以提供足够的驱动能力,同时减少能耗。

继电器驱动

在继电器驱动中,SS8050 可以作为开关元件,控制继电器的开启和关闭。其高电流能力和宽工作温度范围使其在这种应用中表现出色。

放大器和开关电路

SS8050 的高直流电流增益(hFE)和高特征频率使其适用于各种放大器和开关电路。它可以用作信号放大器、逻辑门或其他需要快速开关的应用。

工业控制和汽车电子

在工业控制和汽车电子领域,SS8050 的宽工作温度范围和高可靠性使其成为理想选择。它可以在恶劣环境下稳定运行,确保系统的正常运作。

设计考虑

热管理

尽管 SS8050 具有 300 mW 的功率耗散能力,但在高电流应用中仍需要注意热管理。设计师应确保提供足够的散热措施,以防止过热。

电路布局

由于 SS8050 的高频性能,电路布局需要仔细规划,以最小化寄生电感和电容。这样可以确保最佳性能并减少噪声。

选择适当的基准电阻

为了确保稳定的工作点,选择适当的基准电阻非常重要。设计师应根据具体应用计算并选择合适的基准电阻,以获得最佳性能。

总结

SS8050 是一种功能强大的 NPN 三极管,具有高电流能力、宽工作温度范围和低饱和电压等优点。它广泛应用于电机驱动、继电器驱动、放大器和开关电路,以及工业控制和汽车电子等领域。通过了解其关键参数和特性,设计师可以充分利用 SS8050 的优势,设计出高性能、可靠性强的电子系统。