SI2301S

SI2301S 产品概述

SI2301S 是一款由伯恩半导体（BORN Semiconductor）生产的 P 沟道场效应管（MOSFET），采用 SOT-23 封装。该器件设计用于低电压、低功耗的应用场景，具有优异的电气性能和可靠性。以下是对 SI2301S 的详细概述。

1. 基本参数

• 功率 (Pd): 1W
• 反向传输电容 (Crss@Vds): 25pF @ 10V
• 导通电阻 (RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ @ 3.3V, 1A
• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃
• 栅极电荷 (Qg@Vgs): 5.3nC @ 10V
• 漏源电压 (Vdss): 20V
• 类型: 1 个 P 沟道
• 输入电容 (Ciss@Vds): 177pF @ 10V
• 连续漏极电流 (Id): 2.3A
• 阈值电压 (Vgs(th)@Id): 400mV @ 250uA

2. 产品描述

SI2301S 是一款 P 沟道 MOSFET，适用于低电压、低功耗的应用。其 SOT-23 封装使其在空间受限的设计中具有显著优势。该器件具有低导通电阻和高开关速度，适合用于电源管理、电池保护、负载开关等应用。

3. 电气特性

• 低导通电阻: 140mΩ @ 3.3V, 1A，确保在低电压下也能高效导通，减少功率损耗。
• 高开关速度: 低栅极电荷 (5.3nC @ 10V) 和低反向传输电容 (25pF @ 10V) 使得 SI2301S 在高频开关应用中表现出色。
• 宽工作温度范围: -55℃ ~ +150℃，适用于各种恶劣环境下的应用。

4. 应用场景

SI2301S 广泛应用于以下领域：

• 电源管理: 用于 DC-DC 转换器、LDO 稳压器等，提供高效的电源转换。
• 电池保护: 在便携式设备中，用于电池的过充、过放保护电路。
• 负载开关: 用于控制电路中的负载开关，实现高效的能量管理。
• 电机驱动: 在小型电机驱动电路中，提供可靠的开关控制。

5. 封装与尺寸

SI2301S 采用 SOT-23 封装，尺寸小巧，适合高密度 PCB 布局。其封装尺寸为 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm，引脚间距为 0.95mm。

6. 品牌与质量

伯恩半导体（BORN Semiconductor）是一家知名的半导体制造商，以其高质量和可靠性著称。SI2301S 经过严格的质量控制和测试，确保在各种应用场景下都能稳定工作。

7. 总结

SI2301S 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和宽工作温度范围等优点。其 SOT-23 封装使其在空间受限的设计中具有显著优势，适用于电源管理、电池保护、负载开关等多种应用。伯恩半导体的高质量保证使得 SI2301S 成为工程师在设计低电压、低功耗电路时的理想选择。

通过以上概述，可以看出 SI2301S 在低电压、低功耗应用中的卓越性能和广泛适用性，是电子设计工程师不可或缺的元器件之一。