功率(Pd) | 225mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | PNP |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@50mA,1V | 集射极击穿电压(Vceo) | 20V |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@500mA,50mA | 集电极截止电流(Icbo) | 150nA |
集电极电流(Ic) | 500mA |
L9012QLT1G 是一种由乐山无线电(LRC)制造的三极管(BJT),属于PNP类型。该器件以其高性能和广泛的应用场景而受到广泛欢迎,特别适用于各种电子设备中的功率放大和开关应用。
以下是L9012QLT1G的一些关键参数:
功率(Pd): 225 mW
商品分类: 三极管(BJT)
工作温度: -55℃ ~ +150℃
晶体管类型: PNP
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 150 @ 50 mA, 1 V
集射极击穿电压(Vceo): 20 V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 600 mV @ 500 mA, 50 mA
集电极截止电流(Icbo): 150 nA
集电极电流(Ic): 500 mA
L9012QLT1G 因其优异的性能和可靠性,广泛应用于以下领域:
功率放大
开关应用
汽车电子
工业控制
消费电子
L9012QLT1G 采用 SOT-23 封装,这是一种小型化封装形式,非常适合现代电子产品的紧凑设计要求。这种封装形式不仅节省空间,还提高了产品的可靠性和抗干扰能力。
在使用 L9012QLT1G 时,需要注意以下几点:
L9012QLT1G 是一款高性能、多功能的PNP三极管,具有广泛的应用场景和优异的参数特性。其广泛的工作温度范围、低饱和电压和高直流电流增益使其成为各种电子设备中的理想选择。通过正确使用和设计,这款器件可以为您的项目带来可靠性和高效性。