CSD17575Q3

CSD17575Q3 产品概述

概要

CSD17575Q3 是由德州仪器（TI）推出的一个高性能的N沟道场效应管（MOSFET），适用于各种高电流和高效能应用场景。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 封装: VSON-CLIP-8（3.3x3.3mm）
• 技术: 金属氧化物场效应管（MOSFET）
• FET 类型: N沟道

电气特性

• 导通电阻（最大值）: 2.3 毫欧 @ 25A，10V
  • 这个参数表明在特定条件下，MOSFET 的导通状态下的电阻非常低，适合高效能和低热量应用。
• 驱动电压范围: 4.5V ~ 10V
  • 支持较宽的驱动电压范围，方便在不同系统中使用。
• 连续漏极电流（Id）: 60A（Ta）
  • 高达 60A 的连续工作电流，使其适用于高功率应用。
• 漏源电压（Vdss）: 30V
  • 支持高达 30V 的工作电压，满足多种电源和驱动需求。
• 输入电容（Ciss）: 4420pF @ 15V
  • 相对较低的输入电容，有助于减少开关损耗和提高系统效率。

工作条件

• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 宽泛的工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定运行。
• 功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），108W（Tc）
  • 高功率耗散能力，确保在高负载条件下保持稳定。

栅极特性

• 栅极电荷（Qg）: 30nC @ 4.5V
  • 相对较低的栅极电荷，有助于降低开关时间和提高系统响应速度。
• 阈值电压（Vgs(th））: 1.8V @ 250µA
  • 低阈值电压，使得驱动更加容易和节能。

应用场景

CSD17575Q3 因其高性能和低损耗特性，广泛应用于以下领域：

• 电源管理: 高效能DC-DC转换器、电源模块等。
• 电机驱动: 高电流和高效能的电机驱动系统，如工业控制、汽车电子等。
• 服务器和数据中心: 高密度、高效能的服务器和数据中心电源解决方案。
• 汽车电子: 高可靠性和高效能的汽车电子系统，如电池管理、驱动控制等。

优势

1. 高效能: 低导通电阻和低开关损耗，使得系统整体效率显著提高。
2. 高可靠性: 宽泛的工作温度范围和高功率耗散能力，确保在极端条件下稳定运行。
3. 小尺寸封装: VSON-CLIP-8 封装类型，占用空间小，适合高密度设计。
4. 易于驱动: 低阈值电压和宽驱动电压范围，使得驱动控制更加简单。

总结

CSD17575Q3 是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，通过其优异的电气特性和广泛的应用场景，成为现代电子系统中的理想选择。其小尺寸封装、易于驱动以及高可靠性，使其在高效能和高密度设计中具有显著优势。对于需要高电流和高效能解决方案的工程师来说，CSD17575Q3 是一个值得考虑的选项。