US1G 产品实物图片
US1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

US1G

商品编码: BM0226046679
品牌 : 
MDD
封装 : 
SMA
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
快恢复/高效率二极管 独立式 1.3V@1A 400V 1A SMA
库存 :
5000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.199
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.199
--
500+
¥0.0661
--
2500+
¥0.0441
--
5000+
¥0.0315
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

US1G参数

二极管配置独立式反向恢复时间(trr)50ns
反向电流(Ir)5uA@400V商品分类快恢复/高效率二极管
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)整流电流1A
正向压降(Vf)1.3V@1A直流反向耐压(Vr)400V

US1G手册

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US1G概述

US1G 快恢复/高效率二极管产品概述

概要

US1G 是一种高性能、快恢复的独立式二极管,专为要求高效率和快速恢复时间的应用场景设计。该产品由知名品牌 MDD 制造,采用 SMA 封装,适用于各种电子设备中的电源整流、过压保护和信号处理等领域。

基础参数

  • 二极管配置: 独立式
  • 反向恢复时间 (trr): 50 ns
  • 反向电流 (Ir): 5 μA @ 400 V
  • 商品分类: 快恢复/高效率二极管
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃ @(Tj)
  • 整流电流: 1 A
  • 正向压降 (Vf): 1.3 V @ 1 A
  • 直流反向耐压 (Vr): 400 V
  • 封装: SMA

特点和优势

快速恢复时间

US1G 二极管的反向恢复时间仅为 50 ns,这使得它特别适合于高频应用,如开关电源、逆变器和电力电子设备。在这些场景中,快速恢复时间可以显著减少能量损耗,提高系统效率。

高效率整流

该二极管的正向压降为 1.3 V @ 1 A,这意味着在高电流条件下,它仍能保持较低的电压降,减少热量生成,从而提高整体系统的效率和可靠性。

宽工作温度范围

US1G 二极管能够在 -55℃ ~ +150℃ 的广泛温度范围内工作,这使得它适用于各种极端环境下的应用,例如汽车电子、工业控制和航空航天等领域。

高耐压能力

直流反向耐压达到 400 V,确保了在高压条件下二极管的稳定运行和安全性。这对于需要处理高电压信号或保护电路免受过压损害的应用尤为重要。

低反向漏电流

在 400 V 条件下,反向电流仅为 5 μA,这表明该二极管具有极低的漏电流,进一步提高了系统的能量利用率和稳定性。

应用场景

开关电源和逆变器

由于其快速恢复时间和高效率整流特性,US1G 二极管非常适合用于开关电源和逆变器中的自由轮流二极管或整流桥臂。

过压保护

其高耐压能力使得 US1G 可以作为过压保护元件,保护电子设备免受意外高压冲击的损害。

信号处理

在信号处理应用中,US1G 的低正向压降和快速恢复时间可以帮助实现更清晰、更稳定的信号传输。

汽车电子和工业控制

宽工作温度范围使得 US1G 适用于汽车电子和工业控制领域,确保在各种环境条件下可靠运行。

安装和使用注意事项

  • 热设计: 由于高电流和高频应用,建议进行适当的热设计以确保二极管在正常工作条件下不会过热。
  • 电气隔离: 在安装时,确保二极管与其他元件之间有足够的电气隔离,以避免意外短路或干扰。
  • 焊接: 使用适当的焊接技术和工具,以避免因热应力而导致的封装损坏或内部结构破坏。

结论

US1G 快恢复/高效率二极管是现代电子设备中一个不可或缺的组成部分。其卓越的性能参数、广泛的应用场景以及优异的可靠性,使其成为设计师和工程师在开发高效、可靠电子系统时的首选元件。通过选择 US1G 二极管,您可以确保您的产品在性能、效率和可靠性方面达到最佳水平。