LP3475T1G

LP3475T1G 产品概述

概要

LP3475T1G 是一款由乐山无线电（LRC）生产的场效应管（MOSFET），属于P沟道类型，封装在SOT-23-6的小型封装中。这种MOSFET设计用于各种电子设备中的开关和放大应用，特别适合需要高效能、低损耗和小尺寸的场景。

基础参数

• 功率（Pd）: 900 mW
  • 这表明该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率。
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 52 pF @ 15 V
  • 这个参数反映了在特定漏源电压下，栅极和漏极之间的电容值，对于高频应用非常重要。
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 90 mΩ @ 4.5 V, 3 A
  • 当栅极电压为4.5V，漏极电流为3A时，MOSFET的导通电阻仅为90 mΩ，表明其在开启状态下的低损耗特性。
• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃
  • 宽泛的工作温度范围使得LP3475T1G能够在各种环境条件下稳定运行。
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 5.6 nC @ 4.5 V
  • 栅极电荷是指将MOSFET从utoff状态切换到on状态所需的电荷量，对于快速开关应用非常关键。
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
  • 最高允许的漏源电压为30V，确保了在正常工作条件下不会因过压而损坏。
• 类型: 1个P沟道
  • 作为P沟道MOSFET，LP3475T1G适用于负载开关、电源管理和信号放大等应用。
• 输入电容（Ciss@Vds）: 534 pF @ 15 V
  • 输入电容包括栅极和源极之间的电容，影响MOSFET的输入阻抗和开关速度。
• 连续漏极电流（Id）: 3.5 A
  • 最大允许的连续漏极电流为3.5A，满足中等到高电流应用的需求。
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1.6 V @ 250 μA
  • 阈值电压决定了MOSFET开始导通所需的最小栅极电压，在这里为1.6V。

特性和优势

1. 低导通电阻:
   • 仅90 mΩ的导通电阻使得LP3475T1G在开启状态下具有极低的能量损耗，这对于提高系统效率和降低热量产生非常重要。
2. 高频性能:
   • 低反向传输电容和输入电容确保了LP3475T1G在高频应用中的优异性能，适用于需要快速开关的场景。
3. 宽工作温度范围:
   • 从-55℃到+150℃的宽泛工作温度范围，使得LP3475T1G能够在各种极端环境中稳定运行。
4. 小型封装:
   • 采用SOT-23-6的小型封装，LP3475T1G非常适合空间有限但需要高性能的电子设备。

应用场景

1. 电源管理:
   • 可用于DC-DC转换器、电源模块等场景，通过其低导通电阻和快速开关能力来提高效率。
2. 负载开关:
   • 适用于控制高电流负载，如LED驱动、电机驱动等。
3. 信号放大:
   • 由于其低噪声和高频性能，LP3475T1G也可以用于信号放大和滤波应用。
4. 汽车电子:
   • 宽工作温度范围使其特别适合用于汽车电子系统中的各种控制和驱动应用。

总结

LP3475T1G 是一款性能优异、体积小巧的P沟道MOSFET，通过其低导通电阻、快速开关能力和宽工作温度范围，广泛适用于电源管理、负载开关、信号放大以及汽车电子等多种应用场景。其小型SOT-23-6封装进一步增强了其在空间有限但需要高性能的设备中的应用价值。