SI2305A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI2305A

商品编码: BM0226015937
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.38W 20V 4.2A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.66
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.66
--
200+
¥0.0966
--
1500+
¥0.09568
--
3000+
¥0.0948
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2305A参数

功率(Pd)1.38W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@4.5V,4.2A漏源电压(Vdss)20V
类型1个P沟道连续漏极电流(Id)4.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)500mV@250uA

SI2305A手册

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SI2305A概述

SI2305A 产品概述

概要

SI2305A 是由友台半导体(UMW)生产的一款高性能场效应管(MOSFET),属于P沟道类型,适用于各种需要高效能和低损耗的电子应用。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 1.38W
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 65mΩ @ 4.5V, 4.2A
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 类型: 1个P沟道
  • 连续漏极电流(Id): 4.2A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 500mV @ 250uA

封装和品牌

  • 封装: SOT-23
  • 品牌: 友台半导体(UMW)

特性和优势

低导通电阻

SI2305A 具有非常低的导通电阻(RDS(on)),仅为65mΩ @ 4.5V, 4.2A。这意味着在开启状态下,通过MOSFET的电流会产生很少的热量和能量损失,提高了整体系统的效率和可靠性。

高连续漏极电流

该MOSFET能够承受高达4.2A的连续漏极电流,这使其适用于需要高电流驱动的应用,如电机驱动、功率供应和高频开关电源等。

低阈值电压

SI2305A 的阈值电压为500mV @ 250uA,这使得它可以在较低的门源电压下开启,减少了控制电路的复杂性和能耗。

高耐压能力

该MOSFET的漏源电压(Vdss)为20V,能够承受较高的工作电压,提高了其在各种应用中的可靠性和耐用性。

应用场景

电机驱动

SI2305A 适用于各种电机驱动应用,包括直流电机、步进电机和伺服电机等。其高连续漏极电流和低导通电阻确保了高效能和低热量生成。

功率供应

在功率供应系统中,SI2305A 可以作为开关元件,用于构建高效能的开关模式功率供应(SMPS)。其低导通电阻和高耐压能力使其成为理想选择。

高频开关电源

由于其快速开关时间和低导通电阻,SI2305A 非常适合用于高频开关电源应用,如无线充电、LED驱动和服务器电源等。

汽车电子

在汽车电子领域,SI2305A 可用于各种需要高可靠性和高效能的应用,如汽车音响系统、照明系统和其他辅助设备。

设计考虑

热管理

尽管SI2305A 具有低导通电阻,但在高电流应用中仍需要考虑热管理。建议使用适当的散热措施,如散热片或 PCB 设计,以确保设备在长时间运行中保持稳定。

电源设计

在设计电源系统时,需要确保输入电压和输出电流符合MOSFET的规格。同时,选择合适的驱动电路以确保MOSFET能够快速、可靠地开启和关闭。

EMC 设计

为了减少电磁兼容性(EMC)问题,建议在设计中加入适当的滤波和屏蔽措施,以减少高频噪声对系统的影响。

总结

SI2305A 是一款高性能P沟道MOSFET,通过其低导通电阻、 高连续漏极电流和高耐压能力,成为各种需要高效能和可靠性的电子应用的理想选择。无论是在电机驱动、功率供应还是高频开关电源等领域,SI2305A 都能提供出色的性能和可靠性。通过合理的设计和热管理,可以充分发挥出该元件的优势,提高整体系统的效率和可靠性。