SI2300A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI2300A

商品编码: BM0225985437
品牌 : 
UMW(友台半导体)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 25mΩ@4.5V,6A 20V 6A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2800(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.452
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.452
--
200+
¥0.06615
--
1500+
¥0.06552
--
3000+
¥0.0649
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2300A参数

功率(Pd)1.32W反向传输电容(Crss@Vds)60pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)34mΩ@2.5V,5.2A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)574pF@10V连续漏极电流(Id)6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@50uA

SI2300A手册

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SI2300A概述

SI2300A 产品概述

概要

SI2300A 是由友台半导体(UMW)生产的场效应管(MOSFET),属于N沟道类型,封装在紧凑的SOT-23包装中。该器件以其高性能、低功耗和广泛的应用场景而受到广泛欢迎。

基本参数

  • 功率(Pd): 1.32W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 60pF @ 10V
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 34mΩ @ 2.5V, 5.2A
  • 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC @ 4.5V
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 类型: 1个N沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 574pF @ 10V
  • 连续漏极电流(Id): 6A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V @ 50uA

特性和优势

低导通电阻

SI2300A 具有非常低的导通电阻(RDS(on)),仅为34mΩ @ 2.5V,5.2A。这意味着在导通状态下,器件会产生很少的热量和能量损失,提高系统的整体效率和可靠性。

高连续漏极电流

该器件能够承受高达6A的连续漏极电流,这使得它适用于需要高电流驱动的应用,如电机驱动、功率开关和高频切换电路。

宽工作温度范围

SI2300A 的工作温度范围从-55℃到+150℃,这使得它可以在各种极端环境中稳定运行,特别适合于工业控制、汽车电子和航空航天等领域。

低阈值电压

阈值电压为1V @ 50uA,这使得该器件可以使用较低的栅极驱动电压来控制,减少系统的总体功耗。

小尺寸封装

SOT-23封装使得SI2300A非常适合于空间有限的应用场景,如便携式电子设备、嵌入式系统和其他需要紧凑设计的产品。

应用场景

电机驱动

由于其高电流承受能力和低导通电阻,SI2300A非常适合用于电机驱动应用,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。

功率开关

在功率开关应用中,SI2300A 的低导通电阻和高频切换能力使其成为理想选择,用于DC-DC转换器、AC-DC转换器等。

高频切换电路

该器件的快速切换时间和低栅极电荷使其特别适合于高频切换电路,如SMPS(开关模式电源)和类似应用。

汽车电子

SI2300A 的宽工作温度范围和高可靠性使其非常适合用于汽车电子系统,例如发动机控制单元、安全气囊系统等。

设计考虑

热管理

尽管SI2300A具有低导通电阻,但在高电流和高频切换应用中仍需要适当的热管理。设计者应确保PCB布局能够有效散热,并考虑使用散热片或其他冷却措施。

栅极驱动

由于阈值电压较低,设计者需要选择合适的栅极驱动电路,以确保稳定可靠的开关性能。

电磁兼容性

在设计时,应考虑到电磁兼容性(EMC)问题,特别是在高频切换应用中。使用适当的滤波器和屏蔽技术可以帮助减少干扰。

总结

SI2300A 是一款高性能、低功耗的N沟道场效应管,适用于各种需要高电流驱动和快速切换的应用场景。其紧凑的SOT-23封装、宽工作温度范围和低导通电阻使其成为许多设计师的首选器件。通过合理的设计和布局,SI2300A 可以帮助实现高效、可靠的电子系统。