LBSS84ELT1G

LBSS84ELT1G 产品概述

概要

LBSS84ELT1G 是由乐山无线电（LRC）生产的一款场效应管（MOSFET），属于P沟道类型。该器件以其小型化的封装和优秀的性能参数，在各种电子应用中广泛受欢迎。以下是对 LBSS84ELT1G 的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 225 mW
  • 这表明该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率。
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
  • 属于半导体器件的一种，通过电场控制电流。
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 5 Ω @ 10 V, 100 mA
  • 当门源电压（Vgs）为10V，漏极电流（Id）为100mA时，导通电阻仅为5Ω，表明该MOSFET在开启状态下具有较低的内部电阻，减少能量损耗。
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
  • 指MOSFET可以承受的最大漏源电压，确保在正常工作范围内不会因过压而损坏。
• 类型: 1个P沟道
  • P沟道MOSFET通常用于负载开关和电源管理应用。
• 连续漏极电流（Id）: 130 mA
  • 表示MOSFET可以持续承受的最大漏极电流，适用于中小功率的电子设备。
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 2 V @ 250 uA
  • 当门源电压达到2V时，漏极电流将达到250uA，这是MOSFET开始导通的阈值。

封装

• 封装类型: SOT-23
  • 小型化的三引脚封装，适合于空间有限的电子产品设计。

应用场景

LBSS84ELT1G 由于其小型化的封装和优异的性能参数，广泛应用于以下几个领域：

1. 电源管理:

   • 在DC-DC转换器、电池管理系统等电源管理应用中，LBSS84ELT1G 可以作为开关元件，实现高效能量转换。

2. 负载开关:

   • 由于其低导通电阻和高耐压能力，LBSS84ELT1G 适合用于各种负载开关应用，如LED驱动、继电器驱动等。

3. 信号放大和切换:

   • 在一些信号处理和切换电路中，LBSS84ELT1G 可以作为低噪声、高灵敏度的开关元件。

4. 汽车电子:

   • 由于其高耐压和低导通电阻，LBSS84ELT1G 也可以用于汽车电子系统中的各种控制和驱动应用。

5. 消费电子:

   • 在手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，LBSS84ELT1G 可以用于各种低功耗的开关和控制电路。

优势

• 小型化封装: SOT-23 封装使得 LBSS84ELT1G 非常适合于空间有限的现代电子产品设计。
• 低导通电阻: 仅5Ω的导通电阻大大减少了能量损耗，提高了系统效率。
• 高耐压能力: 60V 的漏源电压耐受性确保了在各种应用场景中的可靠性。
• 低阈值电压: 2V 的阈值电压使得 LBSS84ELT1G 易于驱动，适合于低功耗系统。

使用注意事项

• 热管理: 尽管 LBSS84ELT1G 具有225mW 的最大功率，但在高频或高负载应用中仍需要注意热管理，以避免过热导致的性能下降或损坏。
• 静电保护: 作为半导体器件，LBSS84ELT1G 对静电敏感，因此在处理和安装过程中应采取必要的静电保护措施。
• 电源设计: 在设计电源系统时，应确保输入输出电压符合器件的规格要求，以避免过压或过流导致的损坏。

总结来说，LBSS84ELT1G 是一款性能优异、体积小巧的P沟道MOSFET，广泛适用于各种中小功率电子设备的设计和开发。其低导通电阻、 高耐压能力和小型化封装，使其成为现代电子产品中的理想选择。