DF2B6.8M1ACT,L3F 产品实物图片
DF2B6.8M1ACT,L3F 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DF2B6.8M1ACT,L3F

商品编码: BM0225939839
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
CST2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
20V-夹子-2.5A(8-20µs)-Ipp-TVS-二极管-表面贴装型-CST2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.592
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.592
--
100+
¥0.408
--
500+
¥0.371
--
2500+
¥0.344
--
5000+
¥0.321
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DF2B6.8M1ACT,L3F参数

安装类型表面贴装型不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)20V
功率 - 峰值脉冲50W双向通道1
类型齐纳电压 - 击穿(最小值)6V
应用通用不同频率时电容0.3pF @ 1MHz
电压 - 反向断态(典型值)5V(最大)电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)2.5A(8/20µs)
电源线路保护

DF2B6.8M1ACT,L3F手册

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DF2B6.8M1ACT,L3F概述

DF2B6.8M1ACT, L3F 产品概述

概要

DF2B6.8M1ACT, L3F 是由东芝(TOSHIBA)生产的表面贴装型齐纳二极管,属于TVS(Transient Voltage Suppressor)系列。这种元器件专门设计用于保护电子设备免受瞬态电压冲击的损害。

基础参数

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),适合现代电子产品的自动化生产和高密度封装需求。
  • 电压 - 箝位(最大值): 20V,表示该二极管可以在20V以下的工作电压下有效保护电路。
  • 功率 - 峰值脉冲: 50W,表明在短时间内(通常为几微秒),该二极管可以承受高达50瓦的峰值功率。
  • 双向通道: 1,指该二极管具有单个双向保护通道。
  • 类型: 齐纳二极管,利用齐纳效应来吸收和分散瞬态电压。
  • 电压 - 击穿(最小值): 6V,表示当输入电压超过此值时,二极管开始导通并吸收过压。
  • 应用: 通用,适用于各种需要过压保护的电子设备,如消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
  • 不同频率时电容: 0.3pF @ 1MHz,表明在1MHz频率下,二极管的寄生电容为0.3皮法。
  • 电压 - 反向断态(典型值): 5V(最大),指在反向偏置状态下,二极管的典型反向漏电压不超过5V。
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 2.5A(8/20µs),表示在8/20µs的时间窗口内,二极管可以承受高达2.5安培的峰值脉冲电流。

封装和品牌

  • 封装: CST2,东芝专用的小型表面贴装封装,适合空间有限的应用场景。
  • 品牌: 东芝(TOSHIBA),一家全球知名的电子元器件制造商,保证了产品的质量和可靠性。

应用场景

DF2B6.8M1ACT, L3F 齐纳二极管广泛应用于以下几个领域:

  1. 电源线路保护:

    • 用于保护电源输入端口免受雷击、静电放电(ESD)等瞬态电压的影响。
    • 确保设备在意外过压情况下保持正常运行。
  2. 数据线保护:

    • 保护数据传输线路免受外界干扰和瞬态电压的影响。
    • 保证数据传输的稳定性和可靠性。
  3. 消费电子设备:

    • 用于手机、平板电脑、智能家居设备等消费电子产品中,提供全面的过压保护。
  4. 工业控制系统:

    • 应用于工业控制系统中的传感器、执行器等部件,确保系统在恶劣环境下稳定运行。
  5. 汽车电子系统:

    • 用于汽车电子系统中的各类模块,如发动机控制单元(ECU)、传感器等,提供强大的过压保护能力。

优势

  • 小尺寸高密度封装: CST2封装使得DF2B6.8M1ACT, L3F非常适合现代电子产品的紧凑设计需求。
  • 高峰值脉冲能力: 能够承受高达50W的峰值脉冲功率,提供强大的过压保护能力。
  • 低寄生电容: 仅0.3pF @ 1MHz的寄生电容,使得该二极管在高频应用中表现出色。
  • 可靠性高: 由东芝生产,保证了产品的质量和可靠性。

总结

DF2B6.8M1ACT, L3F 是一款功能强大、体积小巧的TVS齐纳二极管,广泛应用于各种需要过压保护的电子设备中。其高峰值脉冲能力、低寄生电容以及小型表面贴装封装,使其成为现代电子设计中的理想选择。通过选择此产品,工程师可以确保他们的设计具有高可靠性和稳定性,能够抵御各种意外的电压冲击。