制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 不適用於新設計 |
PTZTE256.2B 是由日本知名半导体制造商罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款齐纳二极管。以下是对此产品的详细介绍,包括其基础参数、封装类型、应用场景以及技术特性。
PTZTE256.2B 的主要特点是其准确的齐纳电压。齐纳电压是指在一定电流下,二极管通过的稳定电压值。这款二极管的齐纳电压为 2.5V ± 2%(具体值可能会根据实际生产批次有所变动),这使得它非常适合用于稳压电路、信号调理和过压保护等应用。
该二极管通常具有较高的最大功率耗散能力,确保在正常工作条件下不会因过热而损坏。具体的最大功率耗散值可以在数据手册中找到,但一般来说,SMA 封装的齐纳二极管可以处理几百毫瓦的功率。
PTZTE256.2B 支持广泛的工作温度范围,通常从 -65°C 到 150°C 或更广。这使得它可以在各种环境条件下稳定运行,适用于工业、汽车和消费电子等多种领域。
该二极管支持一定范围内的电流,通常几毫安到几十毫安不等。用户需要根据具体应用选择合适的工作电流,以确保设备的可靠性和长寿命。
PTZTE256.2B 齐纳二极管广泛应用于以下几个领域:
稳压电路:
信号调理:
过压保护:
测量和检测:
汽车电子:
工业控制:
为了获取更详细和准确的信息,建议参考罗姆半导体官方发布的 PTZTE256.2B 数据手册。数据手册中会提供详细的技术参数、应用示例以及使用注意事项等内容。
PTZTE256.2B 是一款由罗姆半导体生产的高性能齐纳二极管,具有准确的齐纳电压、广泛的工作温度范围和良好的稳定性。虽然它被标记为不再推荐用于新设计,但仍然是许多现有系统中的重要组成部分。通过了解其技术特性和应用场景,可以更好地利用此产品,确保电子系统的可靠性和性能。