AO3407 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3407

商品编码: BM0225825479
品牌 : 
YONGYUTAI(永裕泰)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.083
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.083
--
200+
¥0.082
--
1500+
¥0.081
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3407参数

功率(Pd)350mW反向传输电容(Crss@Vds)77pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)87mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃漏源电压(Vdss)30V
类型1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)565pF@0V
连续漏极电流(Id)3.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA

AO3407手册

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AO3407概述

AO3407 场效应管(MOSFET)产品概述

概要

AO3407 是由永裕泰(YONGYUTAI)品牌生产的一款高性能、低功耗的P沟道场效应管(MOSFET),适用于各种电子设备中的开关和放大应用。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 350 mW
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 77 pF
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 87 mΩ @ 4.5 V
  • 工作温度: -55 ℃ ~ +150 ℃
  • 漏源电压(Vdss): 30 V
  • 类型: 1 个 P沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 565 pF @ 0 V
  • 连续漏极电流(Id): 3.5 A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5 V @ 250 μA

封装和品牌

  • 封装: SOT-23
  • 品牌: 永裕泰(YONGYUTAI)

性能特点

低导通电阻

AO3407 具有非常低的导通电阻(RDS(on)),仅为 87 mΩ @ 4.5 V。这意味着在开启状态下,通过MOSFET的电流会产生很小的热量和能量损失,提高了系统的整体效率和可靠性。

高连续漏极电流

该MOSFET支持高达 3.5 A 的连续漏极电流,这使得它适用于需要处理较大电流的应用场景,如电源管理、驱动器和高频开关电路。

宽工作温度范围

AO3407 的工作温度范围从 -55 ℃ 到 +150 ℃,这使得它能够在极端环境下稳定运行,适用于各种工业、汽车和消费电子产品。

低阈值电压

阈值电压(Vgs(th))为 1.5 V @ 250 μA,这意味着驱动该MOSFET所需的门源电压较低,方便与低电压逻辑电路兼容。

应用场景

电源管理

AO3407 可用于各种电源管理应用,如DC-DC转换器、电池管理系统和功率因数校正(PFC)电路。其低导通电阻和高连续漏极电流能力使其成为这些应用中的理想选择。

驱动器

在驱动器应用中,AO3407 可以用于驱动电机、继电器和其他负载。其高电流处理能力和宽工作温度范围确保了驱动系统的稳定性和可靠性。

高频开关电路

由于其低导通电阻和快速开关时间,AO3407 适用于高频开关电路,如无线充电、射频功率放大器和其他高频应用。

设计考虑

热管理

尽管AO3407 具有低导通电阻,但在高电流应用中仍需要考虑热管理。设计人员应确保PCB布局能够有效散热,并可能需要添加散热器或其他冷却措施。

驱动电路

由于阈值电压较低,驱动电路需要能够提供足够的门源电压以确保MOSFET完全开启。同时,驱动电路也应考虑到MOSFET的输入电容(Ciss)以避免过冲和振铃。

EMI/EMC

在高频应用中,设计人员应注意电磁兼容性(EMC)问题。使用适当的滤波器和屏蔽技术可以帮助减少电磁干扰(EMI)。

总结

AO3407 是一款高性能、低功耗的P沟道MOSFET,适用于广泛的电子应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和高连续漏极电流能力使其成为电源管理、驱动器和高频开关电路中的理想选择。通过合理的设计和布局,AO3407 可以帮助工程师创建高效、可靠且高性能的电子系统。