功率(Pd) | 225mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | PNP |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA,80mA | 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
集电极电流(Ic) | 1.5A |
LH8550QLT1G 是一款由乐山无线电(LRC)生产的三极管(BJT),属于PNP类型。该器件以其高性能和广泛的应用场景而受到广泛欢迎,特别是在需要高电流和高电压处理的电子系统中。
以下是LH8550QLT1G的一些关键参数:
功率(Pd): 225 mW
商品分类: 三极管(BJT)
工作温度: -55℃ ~ +150℃
晶体管类型: PNP
直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100 @ 100 mA, 1 V
集射极击穿电压(Vceo): 50 V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500 mV @ 800 mA, 80 mA
集电极截止电流(Icbo): 100 nA
集电极电流(Ic): 1.5 A
封装: SOT-23
品牌: 乐山无线电(LRC)
LH8550QLT1G由于其高电流和高电压特性,适用于以下几个主要应用场景:
功率放大器
开关电路
驱动器
线性调节
在使用LH8550QLT1G时,以下几个方面需要特别注意:
热管理
电压和电流限制
基极驱动
LH8550QLT1G是一款高性能的PNP三极管,具有宽泛的工作温度范围、较高的集电极电流和集射极击穿电压。其小型化的SOT-23封装使其适合于各种空间有限但需要高性能的电子系统。通过合理的设计和使用,这款器件可以在多种应用场景中发挥重要作用。