LBSS139LT1G

LBSS139LT1G 产品概述

概要

LBSS139LT1G 是一款由乐山无线电（LRC）生产的场效应管（MOSFET），属于N沟道类型，封装在小型化的SOT-23封装中。这种MOSFET设计用于各种电子设备中的低功率开关和放大应用，特别适合需要高效能、低损耗和小尺寸的系统。

基础参数

以下是LBSS139LT1G的一些关键参数：

• 功率（Pd）: 225 mW
  • 这表明该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率。
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 2.9 pF @ 25 V
  • 这个参数反映了在特定漏源电压下，反向传输电容的大小，对于高频应用非常重要。
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 5.6 Ω @ 2.75 V, 200 mA
  • 这是指当门源电压为2.75V，漏极电流为200mA时，MOSFET的导通电阻。低导通电阻意味着更小的能量损耗和更高的效率。
• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃
  • 这个广泛的温度范围使得LBSS139LT1G适用于各种环境和应用场景。
• 漏源电压（Vdss）: 50 V
  • 表示MOSFET可以承受的最大漏源电压，确保在正常工作条件下不会因过压而损坏。
• 类型: 1个N沟道
  • N沟道MOSFET通常用于负载开关和放大应用。
• 输入电容（Ciss@Vds）: 22.8 pF @ 25 V
  • 输入电容影响MOSFET的开关速度和驱动需求。
• 连续漏极电流（Id）: 200 mA
  • 这是指MOSFET可以持续承受的最大漏极电流。
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 500 mV @ 1.0 mA
  • 阈值电压决定了MOSFET开始导通所需的最小门源电压。

应用场景

LBSS139LT1G 的小尺寸和高性能使其适用于各种应用，包括但不限于：

• 低功率开关电路: 由于其低导通电阻和小尺寸，LBSS139LT1G非常适合用于低功率开关应用，如LED驱动、传感器开关等。
• 放大电路: 作为N沟道MOSFET，LBSS139LT1G可以用于小信号放大和中功率放大应用。
• DC-DC转换器: 在一些简单的DC-DC转换器设计中，LBSS139LT1G可以作为开关元件。
• 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围，LBSS139LT1G也可以用于汽车电子系统中。
• 消费电子: 如手机、平板电脑等设备中的低功率控制和开关应用。

优势

• 小尺寸封装: SOT-23封装使得LBSS139LT1G非常适合空间有限的设计。
• 低导通电阻: 5.6Ω的导通电阻确保了低能量损耗和高效能。
• 广泛工作温度范围: 从-55℃到+150℃的工作温度范围，使得该MOSFET可以在多种环境下稳定运行。
• 高频性能: 低输入电容和反向传输电容使得LBSS139LT1G在高频应用中表现出色。

使用注意事项

• 热设计: 尽管LBSS139LT1G具有225mW的功率等级，但在高频或高负载条件下，仍需要考虑散热问题。
• 驱动要求: 由于阈值电压为500mV，需要确保驱动电路能够提供足够的门源电压以确保MOSFET完全导通。
• 过流保护: 在设计中应考虑过流保护措施，以防止MOSFET因过流而损坏。

总之，LBSS139LT1G 是一款高性能、低功耗、体积小巧的N沟道MOSFET，广泛适用于各种低、中功率电子设备中的开关和放大应用。其优异的参数和小型化封装，使其成为现代电子设计中的理想选择。