LN2306LT1G

LN2306LT1G 产品概述

概要

LN2306LT1G 是由乐山无线电（LRC）生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），采用SOT-23封装。该器件设计用于各种需要高效能、低损耗和小尺寸的电子应用。

基本参数

• 功率（Pd）: 1.4W
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 54.87pF @ 15V
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 38mΩ @ 10V, 5.8A
• 工作温度: -55℃ ~ +150℃
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 类型: 1个N沟道
• 输入电容（Ciss@Vds）: 513.51pF @ 15V
• 连续漏极电流（Id）: 5.8A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1.4V @ 250uA

特性和优势

高效能和低损耗

LN2306LT1G 具有非常低的导通电阻（RDS(on)），仅为38mΩ @ 10V, 5.8A。这意味着在导通状态下，器件内部的能量损耗非常小，适合用于需要高效能转换的应用，如DC-DC转换器、电源管理模块等。

宽工作温度范围

该器件支持广泛的工作温度范围，从-55℃到+150℃，使其在各种环境条件下都能稳定运行。这使得LN2306LT1G特别适合用于汽车电子、工业控制和其他需要在极端温度条件下工作的应用。

小尺寸封装

采用SOT-23封装，LN2306LT1G 具有紧凑的体积，非常适合现代电子产品的miniaturization趋势。这种小尺寸设计可以帮助工程师在有限的空间内实现复杂的电路设计。

高输入电容和低反向传输电容

输入电容（Ciss）为513.51pF @ 15V，反向传输电容（Crss）为54.87pF @ 15V。这些参数表明该器件在开关应用中具有良好的输入特性和低反向传输损耗。

高阈值电压稳定性

阈值电压（Vgs(th)）为1.4V @ 250uA，这个相对较高的阈值电压可以确保器件在低噪声和稳定性方面有良好的表现，减少误触发的可能性。

应用场景

DC-DC 转换器

LN2306LT1G 因其低导通电阻和高效能特性，非常适合用于DC-DC转换器中的开关元件。它可以帮助提高转换效率，减少热量产生，并且由于其小尺寸封装，可以实现紧凑的设计。

电源管理

在电源管理系统中，LN2306LT1G 可以作为控制元件，用于调节电流和电压。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为理想选择。

汽车电子

由于其广泛的工作温度范围和高可靠性，LN2306LT1G 适合用于汽车电子系统，如启动系统、照明系统等。

工业控制

在工业控制领域，LN2306LT1G 可以用于驱动电机、控制阀门等应用。其高效能和低损耗特性可以帮助提高系统整体效率。

总结

LN2306LT1G 是一款高性能N沟道场效应管，具有低导通电阻、宽工作温度范围和小尺寸封装等优点。它广泛应用于DC-DC转换器、电源管理、汽车电子和工业控制等领域。通过选择LN2306LT1G，工程师可以设计出高效能、可靠性高且体积紧凑的电子系统。