SS8050 产品实物图片
SS8050 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SS8050

商品编码: BM0225802263
品牌 : 
FUXINSEMI(富芯森美)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 25V 1.5A NPN SOT-23
库存 :
3028(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.236
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.236
--
200+
¥0.03465
--
1500+
¥0.03432
--
3000+
¥0.034
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SS8050参数

功率(Pd)300mW商品分类三极管(BJT)
晶体管类型NPN特征频率(fT)100MHz
集射极击穿电压(Vceo)25V集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@800mA,80mA
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极电流(Ic)1.5A

SS8050手册

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SS8050概述

SS8050 三极管(BJT)产品概述

概要

SS8050 是一种由富芯森美(FUXINSEMI)生产的NPN型三极管,采用SOT-23封装。这种三极管广泛应用于各种电子设备中,特别适合需要高频率和中等功率的场景。

基础参数

  • 功率(Pd): 300 mW
    • 这表明该三极管在正常操作条件下可以承受的最大功率。
  • 商品分类: 三极管(BJT)
    • 属于双极性晶体管家族,通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流。
  • 晶体管类型: NPN
    • 在NPN型三极管中,基极是P型半导体,集电极和发射极分别是N型半导体。这意味着当基极与发射极之间有正向偏压时,集电极与发射极之间会有电流流动。
  • 特征频率(fT): 100 MHz
    • 表示该三极管在高频应用中的性能,高特征频率意味着它可以处理较高频率的信号。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25 V
    • 当基极不接通或接地时,集电极与发射极之间允许的最大电压。超过此值可能导致三极管损坏。
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500 mV @ 800 mA, 80 mA
    • 在指定的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下,集电极与发射极之间的最小电压。低饱和电压意味着在开关应用中能耗较低。
  • 集电极截止电流(Icbo): 100 nA
    • 当基极与发射极短路或不接通时,集电极与发射极之间的漏电流。低截止电流表明在关闭状态下能耗非常低。
  • 集电极电流(Ic): 1.5 A
    • 指定条件下允许通过集电极的最大连续电流。

封装和品牌

  • 封装: SOT-23
    • 小型化的封装形式,适合空间有限的应用场景,提高了PCB布局的灵活性。
  • 品牌: 富芯森美(FUXINSEMI)
    • 一家专业从事电子元器件设计、制造和销售的公司,提供高质量和可靠性的产品。

应用场景

高频放大器

由于SS8050具有100 MHz的高特征频率,使其非常适合用于高频信号放大应用,如无线通信设备、射频放大器等。

开关应用

低饱和电压(500 mV)和高集电极电流(1.5 A)使得SS8050非常适合用于各种开关应用,如继电器驱动、电机控制等场景。

低功耗设备

该三极管的低功耗特性(300 mW)使其成为低功耗电子设备的理想选择,例如便携式电子设备、智能家居设备等。

汽车电子系统

SS8050 的高集电极电压(25 V)和高集电极电流能力,使其适用于汽车电子系统中的各种应用,如车灯控制、传感器驱动等。

使用注意事项

热管理

虽然SS8050 的功率耗散为 300 mW,但在高频或高电流操作时,仍需要注意散热问题,以避免过热导致的性能降低或损坏。

电压限制

确保操作电压不超过指定的集射极击穿电压(Vceo),以防止三极管损坏。

基极驱动

在使用SS8050 时,需要确保基极驱动电流符合推荐值,以避免过载或不正常工作。

总结

SS8050 是一种功能强大且灵活的NPN型三极管,通过其高频特性、低饱和电压和高集电极电流能力,广泛应用于各种电子设备中。其小型化的SOT-23封装形式进一步提高了其在空间有限应用中的优势。通过正确使用和管理,SS8050 可以提供可靠和高效的性能,满足不同场景下的需求。