AP30H80Q

AP30H80Q 场效应管（MOSFET）产品概述

概要

AP30H80Q 是由铨力（ALLPOWER）公司生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 46W
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 215pF @ 15V
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 12mΩ @ 4.5V, 70A
• 工作温度范围: -55℃ ~ +150℃
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 33.7nC @ 10V
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 类型: 1个N沟道
• 输入电容（Ciss@Vds）: 1.614nF @ 15V
• 连续漏极电流（Id）: 70A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1.5V @ 250uA

封装和尺寸

AP30H80Q 采用 PDFN3x3-8L 封装，尺寸为 3.1mm x 3.2mm。这一小型化的封装设计使其非常适合于空间有限但要求高性能的应用场景。

性能特点

低导通电阻

AP30H80Q 具有极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 12mΩ @ 4.5V 和 70A。这意味着在导通状态下，设备会产生很少的热量，从而提高系统的整体效率和可靠性。

高连续漏极电流

该MOSFET能够承受高达70A的连续漏极电流，这使得它非常适合用于高功率应用，如电源供应、电机驱动、汽车电子等领域。

宽工作温度范围

AP30H80Q 的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃，这使得它能够在极端环境下保持稳定运行，满足各种苛刻的工业和汽车应用需求。

低栅极电荷

低栅极电荷（33.7nC @ 10V）有助于减少开关时间和能量损耗，提高系统的总体效率和响应速度。

高输入电容

输入电容（Ciss）为 1.614nF @ 15V，这对于确保稳定的输入信号和减少噪声干扰非常重要。

应用场景

电源供应

AP30H80Q 适用于各种电源供应系统，包括开关模式电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）和逆变器等。其低导通电阻和高连续漏极电流使其成为这些应用中的理想选择。

电机驱动

在电机驱动领域，AP30H80Q 可以用于控制高功率电机的运行。其高耐受性和低热生成特性确保了长时间的可靠操作。

汽车电子

由于其宽工作温度范围和高耐受性，AP30H80Q 非常适合用于汽车电子系统，如启动系统、燃油喷射系统以及其他高性能应用。

工业控制

在工业控制领域，AP30H80Q 可以用于控制高功率设备，如变频器、伺服驱动器等。其稳定性和可靠性使其成为这些应用中的首选元件。

总结

AP30H80Q 是一款高性能N沟道场效应管，通过其优异的导通电阻、宽工作温度范围、低栅极电荷等特性，满足了各种高功率电子设备对可靠性、效率和性能的需求。无论是在电源供应、电机驱动、汽车电子还是工业控制等领域，AP30H80Q 都是开发人员和工程师的理想选择。