MMBF170

MMBF170 场效应管（MOSFET）产品概述

概要

MMBF170 是一种由 SHIKUES（时科）品牌生产的场效应管（MOSFET），属于N沟道类型。该器件以其高性能、紧凑的封装和广泛的应用场景而受到广泛欢迎。以下是对 MMBF170 的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 300 mW
  • 这表明该MOSFET在正常操作条件下可以承受的最大功率。
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
  • 属于半导体器件的一种，用于开关和放大电信号。
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 5 Ω @ 10 V, 200 mA
  • 当门源电压（Vgs）为10V，漏极电流（Id）为200mA时，导通电阻仅为5Ω，表明该MOSFET在导通状态下具有较低的内部电阻，减少能量损耗。
• 漏源电压（Vdss）: 60 V
  • 最高允许的漏源电压，超过此值可能导致器件损坏。
• 类型: 1个N沟道
  • N沟道MOSFET需要正门源电压来打开通道。
• 连续漏极电流（Id）: 500 mA
  • 最大允许的连续工作电流，确保器件在长时间运行中不会过热或损坏。
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 3 V @ 1 mA
  • 当门源电压达到3V时，漏极电流将达到1mA，标志着MOSFET开始进入导通状态。

封装

• 封装类型: SOT-23
  • 小型化的三引脚封装，适合于空间有限的应用场景，提高了PCB设计的灵活性。

应用场景

MMBF170 因其高性能和紧凑的设计，适用于各种电子设备和系统，包括但不限于：

• 电源管理
  • 作为开关元件用于DC-DC转换器、电源模块等。
• 驱动电路
  • 用于驱动LED灯、电机、继电器等负载。
• 信号放大
  • 在音频或视频信号放大电路中作为前级放大器。
• 自动控制系统
  • 在工业自动化、机器人控制等领域作为控制和开关元件。

优势

• 低导通电阻
  • 仅5Ω的导通电阻确保了低能量损耗和高效率。
• 高耐压能力
  • 最高60V的漏源电压使其适用于较高压力下的应用。
• 小型化封装
  • SOT-23封装节省空间，提高PCB设计的灵活性。
• 低阈值电压
  • 仅3V的阈值电压使其易于驱动，特别适合于低电压系统。

使用注意事项

• 过热保护
  • 确保在设计中提供适当的散热措施，以防止过热导致器件损坏。
• 静电保护
  • 在处理和安装过程中，必须采取静电保护措施，以避免静电损伤。
• 电压限制
  • 不要超过最大允许的漏源电压（60V）和连续工作电流（500mA）。

总结

MMBF170 是一款性能优异、应用广泛的N沟道MOSFET。其低导通电阻、 高耐压能力和小型化封装，使其成为各种电子设备和系统中的理想选择。通过了解其基础参数和应用场景，可以更好地利用这一器件，实现高效、可靠的电子系统设计。