NTA4001NT1G

NTA4001NT1G 产品概述

概要

NTA4001NT1G 是由 ON Semiconductor 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于各种电子设备中的功率开关和信号放大应用。以下是对该产品的详细介绍。

基本参数

• 制造商: ON Semiconductor
• 包装: 卷带（TR）
• 零件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 238mA（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 欧姆 @ 10mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 100µA
• Vgs（最大值）: ±10V
• 功率耗散（最大值）: 300mW（Tj）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: SC-75，SOT-416
• 封装/外壳: SC-75，SOT-416
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20pF @ 5V

描述

NTA4001NT1G 是一款小尺寸、低功耗的 N 通道 MOSFET，采用 SC-75（SOT-523）封装。这种封装类型使其非常适合空间有限但要求高性能的应用场景。

应用场景

功率开关

NTA4001NT1G 因其低导通电阻（Rds On）和高连续漏极电流（Id），非常适合用于各种功率开关应用，如：

• DC-DC 转换器
• 电源管理模块
• 电机驱动
• LED 驱动

信号放大

该 MOSFET 也可以用于信号放大应用，例如：

• 音频放大器
• 传感器信号处理
• 数据传输线路

优势

低导通电阻

NTA4001NT1G 的导通电阻（Rds On）在 4.5V 驱动电压下仅为 3 欧姆，这意味着在开启状态下，能耗较低，热量产生较少，从而提高系统的整体效率。

宽工作温度范围

该器件支持 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围，使其在各种环境条件下都能稳定运行，特别适合于工业控制、汽车电子和其他严苛环境中的应用。

小尺寸封装

采用 SC-75（SOT-523）封装，NTA4001NT1G 占用空间小，非常适合现代电子产品的紧凑设计需求。

参数解读

驱动电压

该 MOSFET 支持 2.5V 和 4.5V 的驱动电压，这使得它可以在不同的逻辑电平下工作，提高了其兼容性和灵活性。

阈值电压

阈值电压（Vgs(th)）为 1.5V @ 100µA，这意味着当门源电压达到此阈值时，MOSFET 开始导通，确保了低功耗和高灵敏度的开关性能。

输入电容

输入电容（Ciss）在 5V 下为 20pF，这对于高速开关应用来说是非常重要的，因为它影响了器件的开关速度和稳定性。

安装和使用注意事项

热设计

由于 NTA4001NT1G 的最大功率耗散为 300mW，用户需要确保 PCB 设计中有足够的散热路径，以避免过热导致的性能下降或故障。

静电保护

作为敏感电子元器件，NTA4001NT1G 需要在安装和处理过程中遵循适当的静电保护措施，以防止静电损伤。

总结

NTA4001NT1G 是一款高性能、低功耗的 N 通道 MOSFET，适用于广泛的电子应用场景。其小尺寸封装、宽工作温度范围和低导通电阻使其成为现代电子设计中的理想选择。通过了解其详细参数和特性，可以更好地利用这一器件来实现高效、可靠的系统设计。