LBSS8402DW1T1G

LBSS8402DW1T1G 产品概述

概要

LBSS8402DW1T1G 是一款由乐山无线电（LRC）生产的双极性场效应管（MOSFET），它结合了一个N沟道和一个P沟道，适用于各种需要高效能和低功耗的电子应用。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 380 mW
  • 这表明该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率，确保其在高负载情况下不会过热。
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 3 pF @ 25 V
  • 这个参数反映了在特定漏源电压下，反向传输电容的大小，影响信号传输的速度和效率。
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
  • 作为一种常见的电子开关和放大器元件，MOSFET广泛应用于电力电子、通信设备等领域。
• 工作温度: -55℃ ~ +150℃ @ (Tj)
  • 该MOSFET能够在极端温度条件下稳定工作，适用于各种环境下的应用。
• 漏源电压（Vdss）: 50 V
  • 表示MOSFET可以承受的最大漏源电压，确保其在高压环境下不会损坏。
• 类型: 1个N沟道 + 1个P沟道
  • 双极性设计使得该MOSFET可以同时控制正向和反向电流，增强了其在复杂电路中的灵活性。
• 输入电容（Ciss@Vds）: 42 pF @ 25 V
  • 输入电容影响了MOSFET的开关速度和驱动能力，较低的输入电容意味着更快的开关时间。
• 连续漏极电流（Id）: 130 mA
  • 表示MOSFET可以持续承受的最大电流，适用于中小功率的应用场景。
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1.5 V
  • 阈值电压决定了MOSFET开始导通所需的最低栅源电压，较低的阈值电压意味着更低的驱动功耗。

封装和品牌

• 封装: SC-88
  • 小型化的SC-88封装使得该MOSFET适合于空间有限但需要高性能的应用场景。
• 品牌: 乐山无线电（LRC）
  • 乐山无线电是一家具有丰富经验和技术优势的电子元器件制造商，其产品广泛应用于各个行业。

应用场景

电源管理

LBSS8402DW1T1G 可以用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、电池管理系统等。其高效能和低功耗特性使得它特别适合于需要高效率和小尺寸的设计。

通信设备

在通信设备中，LBSS8402DW1T1G 可以作为开关或放大器使用，例如在无线通信模块、射频功率放大器等应用中。其快速开关时间和低输入电容有助于提高系统的整体性能。

汽车电子

由于其广泛的工作温度范围，LBSS8402DW1T1G 也非常适合用于汽车电子系统，如启动系统、照明控制等。它能够在极端环境下保持稳定运行。

工业控制

在工业控制领域，LBSS8402DW1T1G 可以用于驱动小型电机、控制继电器等。其高可靠性和耐用性使得它成为工业自动化的一个理想选择。

优势

高效能

LBSS8402DW1T1G 的低功耗设计使得它在长时间运行时不会产生过多的热量，从而提高了系统的整体效率和可靠性。

快速开关

低输入电容和快速开关时间使得该MOSFET特别适合于需要高速切换的应用场景，如高频电源转换器和通信设备。

小型化封装

SC-88 封装使得 LBSS8402DW1T1G 可以轻松集成到空间有限的设计中，无需牺牲性能。

宽温范围

-55℃ ~ +150℃ 的工作温度范围使得该MOSFET能够在各种环境条件下稳定运行，适用于多种应用场景。

总结

LBSS8402DW1T1G 是一款功能强大、性能优异的双极性场效应管，通过其高效能、快速开关和小型化设计，广泛应用于电源管理、通信设备、汽车电子和工业控制等领域。其宽温范围和高可靠性使得它成为这些领域的一个理想选择。对于需要高性能且空间有限的电子系统，LBSS8402DW1T1G 是一个值得考虑的解决方案。