IRLD024PBF

产品概述：IRLD024PBF Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power MOSFET

概要

IRLD024PBF 是由 VISHAY (威世) 制造的一款单通道 N-型金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，适用于各种高性能电力应用。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)
• 漏源电压 (Vdss): 60 V
• 25°C 时连续漏极电流 (Id): 2.5 A (Ta)
• 驱动电压 (最大 Rds On, 最小 Rds On): 4 V, 5 V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻 (最大值): 100 毫欧 @ 1.5 A, 5 V
• 不同 Id 时阈值电压 (Vgs(th)) (最大值): 2 V @ 250 µA
• 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) (最大值): 18 nC @ 5 V
• 栅极源极电压 (Vgs) (最大值): ±10 V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss) (最大值): 870 pF @ 25 V
• 功率耗散 (最大值): 1.3 W (Ta)
• 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)

封装和安装

• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
• 封装/外壳: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

特性和优势

高性能和低导通电阻

IRLD024PBF 具有极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 100 毫欧 @ 1.5 A 和 5 V。这使得它在高效能应用中尤其有用，例如电源管理、电机驱动和高频开关电源。

宽工作温度范围

该器件能够在广泛的温度范围内工作，从 -55°C 到 175°C，这使其适用于各种环境和应用场景，包括工业控制、汽车电子和航空电子等。

高耐压能力

IRLD024PBF 的漏源电压耐压能力高达 60 V，这使得它能够处理高压应用，并提供了良好的过载保护。

低栅极电荷

栅极电荷 (Qg) 仅为 18 nC @ 5 V，这降低了开关时间和能耗，提高了系统的整体效率。

高输入电容

输入电容 (Ciss) 为 870 pF @ 25 V，这对于确保稳定和快速的开关性能是非常重要的。

高功率耗散能力

最大功率耗散为 1.3 W (Ta)，这意味着该器件可以处理较高的能量负载，而不会过热。

应用场景

电源管理

IRLD024PBF 适用于各种电源管理应用，包括直流-直流转换器、开关模式电源和电池管理系统。

电机驱动

由于其高耐压和低导通电阻，IRLD024PBF 非常适合用于电机驱动应用，例如工业自动化、机器人技术和汽车电子。

高频开关电源

其低栅极电荷和高输入电容使得 IRLD024PBF 成为高频开关电源的一个理想选择，能够实现高效能和快速开关。

工业控制

在工业控制领域，IRLD024PBF 可以用于各种应用，如变频器、PLC 系统和传感器驱动等。

安装和使用注意事项

热设计

由于功率耗散能力有限，需要确保良好的散热设计，以避免过热问题。可以使用散热片或其他散热解决方案。

电气隔离

在设计时应确保适当的电气隔离，以防止电气噪声和干扰影响器件性能。

驱动电路

需要设计合适的驱动电路，以确保 MOSFET 能够在指定的驱动电压下正常工作。

总结

IRLD024PBF 是一款高性能的单通道 N-型 MOSFET，具有低导通电阻、宽工作温度范围和高耐压能力。它广泛应用于电源管理、电机驱动、 高频开关电源以及工业控制等领域。通过了解其特性和注意事项，可以充分发挥其优势，设计出高效、可靠的电子系统。