NCEP25N10AK 产品实物图片
NCEP25N10AK 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCEP25N10AK

商品编码: BM0225322372
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 105W 100V 35A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.49
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.49
--
100+
¥0.84
--
1250+
¥0.832
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCEP25N10AK参数

功率(Pd)105W反向传输电容(Crss@Vds)19.3pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)27.6nC@50V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.3176nF@50V连续漏极电流(Id)35A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

NCEP25N10AK手册

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NCEP25N10AK概述

NCEP25N10AK 场效应管(MOSFET)产品概述

概要

NCEP25N10AK 是由新洁能(NCE)公司生产的高性能场效应管(MOSFET),属于N沟道类型,适用于各种高功率电子应用。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 105W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 19.3pF @ 50V
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 26mΩ @ 4.5V, 20A
  • 工作温度: -55℃ ~ +175℃
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 27.6nC @ 50V
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 类型: 1个 N沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 1.3176nF @ 50V
  • 连续漏极电流(Id): 35A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封装和品牌

  • 品牌: 新洁能(NCE)
  • 封装: TO-252-2

性能特点

高功率处理能力

NCEP25N10AK 具有高达 105W 的功率处理能力,适用于需要高功率驱动的应用,如电源转换器、电机驱动、汽车电子等领域。

低导通电阻

该场效应管的导通电阻(RDS(on))仅为 26mΩ @ 4.5V, 20A,这意味着在导通状态下,设备会产生较低的热量和能量损耗,从而提高系统的整体效率和可靠性。

宽工作温度范围

NCEP25N10AK 支持 -55℃ ~ +175℃ 的宽工作温度范围,使其能够在极端环境下稳定运行,特别适合于工业控制、汽车电子和其他需要在恶劣环境中工作的应用。

高频性能

低输入电容(Ciss)和反向传输电容(Crss)使得 NCEP25N10AK 在高频应用中表现出色,减少了开关损耗和噪声,提高了系统的稳定性和效率。

应用场景

电源转换器

由于其高功率处理能力和低导通电阻,NCEP25N10AK 非常适合用于各种电源转换器,如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)等。

电机驱动

在电机驱动应用中,NCEP25N10AK 可以提供高效的电流控制和快速开关性能,提高电机的运行效率和可靠性。

汽车电子

该场效应管的宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车电子系统中的理想选择,例如在发动机控制单元、电池管理系统等方面。

工业控制

在工业控制领域,NCEP25N10AK 可以用于驱动高功率负载,如工业伺服系统、变频器等,提供稳定可靠的性能。

设计考虑

热管理

尽管 NCEP25N10AK 具有低导通电阻,但在高功率应用中仍需要仔细考虑热管理。设计者应确保设备有足够的散热措施,以保持工作温度在安全范围内。

####栅极驱动 由于栅极电荷较小(27.6nC @ 50V),设计者需要选择合适的栅极驱动器,以确保快速开关和稳定的操作。

电磁兼容性

在设计时,应注意电磁兼容性(EMC)问题,特别是在高频应用中。适当的布局和屏蔽措施可以帮助减少噪声和干扰。

总结

NCEP25N10AK 是一款高性能、多功能的 N沟道场效应管,适用于各种高功率电子应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和高频性能,使其成为工业控制、汽车电子和电源转换等领域的理想选择。通过合理的设计和应用,这款场效应管可以帮助用户实现高效、可靠和稳定的系统性能。