NCE30H12K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE30H12K

商品编码: BM0225278029
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 120W 30V 120A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
300(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.23
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.23
--
100+
¥0.693
--
1250+
¥0.6864
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE30H12K参数

功率(Pd)120W反向传输电容(Crss@Vds)456pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@10V,20A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)79nC
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)4.12nF@25V连续漏极电流(Id)120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

NCE30H12K手册

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NCE30H12K概述

NCE30H12K 产品概述

概要

NCE30H12K 是由新洁能(NCE)公司生产的高性能场效应管(MOSFET),属于N沟道类型,适用于各种高功率电子应用。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 120W
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 456pF
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 4.5mΩ @ 10V, 20A
  • 工作温度: -55℃ ~ +175℃
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 79nC
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 类型: 1个N沟道
  • 输入电容(Ciss@Vds): 4.12nF @ 25V
  • 连续漏极电流(Id): 120A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V @ 250uA

封装和品牌

  • 品牌: 新洁能(NCE)
  • 封装: TO-252-2(DPAK)

性能特点

高功率处理能力

NCE30H12K 具有120W的高功率处理能力,适用于需要高能量转换的应用场景,如电源供应器、电动车驱动、工业控制系统等。

低导通电阻

该MOSFET的导通电阻(RDS(on))仅为4.5mΩ @ 10V, 20A,这意味着在导通状态下,电流通过时的能量损失非常小,提高了系统的整体效率和可靠性。

宽工作温度范围

工作温度范围从-55℃到+175℃,使得NCE30H12K能够在极端环境下保持稳定运行,适用于各种严苛的工业和汽车电子应用。

高阈值电压和低栅极电荷

阈值电压为3V @ 250uA,确保了低噪声和稳定的开关性能。同时,栅极电荷仅为79nC,减少了开关时间和能量损失。

高输入电容和低反向传输电容

输入电容为4.12nF @ 25V,反向传输电容为456pF,这些参数保证了快速的开关速度和低的寄生电容影响。

应用场景

电源供应器

NCE30H12K 的高功率和低导通电阻使其成为高效电源供应器的理想选择,特别是在需要高输出电流和低能量损失的场景中。

电动车驱动

在电动车驱动系统中,NCE30H12K 可以承担高频率和高电流的要求,确保车辆的稳定运行和高效能量转换。

工业控制系统

工业控制系统中常需要处理高功率信号,NCE30H12K 的宽工作温度范围和高可靠性使其成为这些系统中的关键组件。

汽车电子系统

由于其宽工作温度范围和高性能特性,NCE30H12K 也广泛应用于汽车电子系统,如启动器、发电机调节器等。

安装和使用注意事项

热管理

由于高功率处理能力,需要确保良好的热管理。建议使用适当的散热器或冷却系统来保持设备在安全温度范围内运行。

电气隔离

在安装时,必须确保电气隔离,以防止短路或其他意外情况。使用绝缘材料和遵循标准的安装规范非常重要。

静电保护

MOSFET对静电敏感,因此在处理和安装过程中,必须采取静电保护措施,如使用抗静电手套、工作台和包装材料。

总结

NCE30H12K 是一款高性能、多功能的N沟道MOSFET,适用于各种高功率电子应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性使其成为工业、汽车电子以及其他高能量转换领域的理想选择。通过合理的设计、安装和使用,NCE30H12K 可以帮助用户实现高效、可靠的系统性能。