NCE8295AD

NCE8295AD 场效应管（MOSFET）产品概述

概要

NCE8295AD 是由新洁能（NCE）公司生产的高性能场效应管（MOSFET），属于N沟道类型，适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 170W
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 261pF @ 25V
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 6.6mΩ @ 10V, 20A
• 工作温度范围: -55℃ ~ +175℃
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 109.3nC
• 漏源电压（Vdss）: 82V
• 类型: 1个N沟道
• 输入电容（Ciss@Vds）: 6.8nF @ 25V
• 连续漏极电流（Id）: 95A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 4V @ 250uA

封装和品牌

• 品牌: 新洁能（NCE）
• 封装: TO-263-2

性能特点

高功率处理能力

NCE8295AD 具有高达170W的功率处理能力，使其适用于需要高能量转换的应用场景，如电源供应器、电机驱动、变频器等。

低导通电阻

该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）仅为6.6mΩ @ 10V, 20A，这意味着在导通状态下，设备会产生较少的热量和能量损失，从而提高系统的整体效率和可靠性。

宽工作温度范围

NCE8295AD 的工作温度范围从-55℃到+175℃，使其能够在极端环境下稳定运行，这对于工业控制、汽车电子和其他严苛环境中的应用尤为重要。

高漏极电流

连续漏极电流高达95A，满足高电流应用的需求，如大功率电机驱动、电源模块等。

低阈值电压

阈值电压为4V @ 250uA，这使得该MOSFET在低驱动电压条件下也能正常工作，减少了驱动电路的复杂性和能耗。

应用场景

电源供应器

由于其高功率和低导通电阻，NCE8295AD非常适合用于高效率的电源供应器，特别是在服务器、数据中心和工业设备中。

电机驱动

在电机驱动应用中，高漏极电流和宽工作温度范围使得NCE8295AD能够处理大型电机的驱动需求，确保稳定可靠的运行。

变频器

变频器需要处理高频率和高能量的信号，NCE8295AD 的低导通电阻和高输入电容使其成为变频器中的理想选择。

汽车电子

在汽车电子领域，NCE8295AD 的宽工作温度范围和高可靠性使其适用于各种汽车应用，如启动系统、电池管理系统等。

设计考虑

热管理

尽管NCE8295AD具有低导通电阻，但在高功率应用中仍需要仔细考虑热管理。设计者应确保设备有良好的散热系统，以保持稳定的工作温度。

驱动电路

由于阈值电压较低，驱动电路的设计应确保能够提供足够的栅极驱动电压，以保证MOSFET的正常导通。

电磁兼容性

在设计时，需要考虑到电磁兼容性（EMC），确保系统不会受到电磁干扰的影响。适当的布局和屏蔽措施可以帮助减少这种影响。

总结

NCE8295AD 是一款高性能N沟道MOSFET，通过其卓越的参数和特性，适用于各种高功率电子设备和系统。其低导通电阻、宽工作温度范围和高漏极电流使其成为工业控制、汽车电子、电源供应器等领域的理想选择。通过合理的设计和应用，这款MOSFET可以帮助用户实现高效、可靠和稳定的系统性能。