制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 不適用於新設計 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 240mV @ 100mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 400MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
功率 - 最大值 | 800mW | 基本产品编号 | 2SC5706 |
2SC5706-TL-H 是由 ON Semiconductor 制造的一款高性能 NPN 双极晶体管(BJT),适用于各种高电流和高功率应用。以下是对此产品的详细介绍。
2SC5706-TL-H 是一款高性能的 NPN 双极晶体管,封装在 TO-252-3 的 DPak 外壳中。这种封装形式提供了良好的散热性能和紧凑的尺寸,非常适合需要高电流和高功率处理能力的应用。
2SC5706-TL-H 是一款功能强大的 NPN 双极晶体管,通过其高集电极电流、低饱和压降和高频响应等特点,广泛应用于各种高性能电子设备中。对于需要高可靠性和高功率处理能力的项目,这款晶体管是一个理想的选择。然而,用户应注意其不適用於新設計的状态,并根据实际需求进行详细评估。