WSE3099 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

WSE3099

商品编码: BM0225222277
品牌 : 
WINSOK(微硕)
封装 : 
SOT-89-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 5A 1个P沟道 SOT-89-3
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.23
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.23
--
50+
¥0.546
--
1000+
¥0.536
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

WSE3099参数

功率(Pd)1.8W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,5A漏源电压(Vdss)30V
类型1个P沟道连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

WSE3099手册

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WSE3099概述

WSE3099 产品概述

概要

WSE3099 是由微硕(WINSOK)公司生产的场效应管(MOSFET),属于P沟道类型,适用于各种电力电子应用。以下是对该产品的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 1.8W
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 65mΩ @ 10V, 5A
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 类型: 1个P沟道
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2V @ 250uA

封装和外形

WSE3099 采用 SOT-89-3 封装,这是一种小型化的三引脚封装,适合于空间有限的应用场景。这种封装形式不仅节省了 PCB 布局空间,还提高了产品的集成度和可靠性。

电气特性

导通电阻(RDS(on))

WSE3099 的导通电阻为 65mΩ @ 10V, 5A,这意味着在典型工作条件下, MOSFET 的内部电阻非常低,能够有效减少能量损耗和热量产生。这种低导通电阻使得 WSE3099 非常适合高效能量转换应用。

漏源电压(Vdss)

该 MOSFET 的漏源电压为 30V,这意味着它可以承受高达 30V 的电压,这对于许多工业和消费电子应用来说是足够的。这种高耐压能力使得 WSE3099 可以在各种高压环境中稳定运行。

阈值电压(Vgs(th))

阈值电压为 2V @ 250uA,这表明该 MOSFET 在低门源电压下就可以打开,非常适合于低功耗和低电压驱动应用。这种低阈值设计简化了驱动电路的设计,并减少了驱动电源的需求。

连续漏极电流(Id)

WSE3099 的连续漏极电流为 5A,这意味着它可以处理较高的电流,这对于需要高电流驱动的应用(如电机驱动、功率供应等)来说是非常重要的。

应用场景

电源供应

WSE3099 可以用于各种电源供应模块,包括开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)等。其低导通电阻和高耐压能力使得它在这些应用中表现出色。

电机驱动

在电机驱动应用中,WSE3099 的高连续漏极电流和低导通电阻使得它非常适合驱动各种类型的电机,包括直流电机和步进电机。

自动控制系统

在自动控制系统中,WSE3099 可以作为控制元件,用于控制和调节各种负载。其低阈值电压和高耐压能力使得它在这些应用中非常可靠。

消费电子设备

WSE3099 也可以用于各种消费电子设备,如笔记本电脑、平板电脑等的电源管理模块。其小型化封装和高效能量转换能力使得它成为这些设备中的理想选择。

优势

  • 高效能量转换: 低导通电阻和高耐压能力确保了高效的能量转换,减少了能量损耗和热量产生。
  • 小型化封装: SOT-89-3 封装形式节省了 PCB 布局空间,提高了产品的集成度和可靠性。
  • 低阈值电压: 低阈值电压简化了驱动电路的设计,并减少了驱动电源的需求。
  • 高耐压能力: 可以承受高达 30V 的电压,适用于各种高压环境。

总结

WSE3099 是一款性能优异的 P沟道 MOSFET,适用于广泛的电力电子应用。其低导通电阻、低阈值电压和高耐压能力使得它在高效能量转换、电机驱动、自动控制系统以及消费电子设备等领域都有广泛的应用前景。微硕(WINSOK)公司的严格质量控制和先进制造技术保证了 WSE3099 的可靠性和稳定性,成为开发人员和工程师的理想选择。