NCE3095K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE3095K

商品编码: BM0225112084
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 95W 30V 95A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
3380(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.67
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.67
--
100+
¥0.3255
--
1250+
¥0.3224
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE3095K参数

功率(Pd)95W反向传输电容(Crss@Vds)212pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.1mΩ@10V,20A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)38.4nC@15V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.784nF@15V连续漏极电流(Id)95A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA

NCE3095K手册

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NCE3095K概述

NCE3095K 场效应管(MOSFET)产品概述

概要

NCE3095K 是由新洁能(NCE)公司生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),专为高功率应用设计。该器件以其卓越的电气特性和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备,包括但不限于电源供应器、电机驱动、汽车电子和工业控制系统。

基础参数

  • 功率(Pd): 95W
    • 表示该MOSFET在正常工作条件下可以承受的最大功率。
  • 反向传输电容(Crss@Vds): 212pF @ Vds
    • 反向传输电容是指在特定漏源电压下,栅极与漏极之间的电容值。
  • 商品分类: 场效应管(MOSFET)
    • 属于半导体器件的一种,通过栅极电压控制漏源通道的开启和关闭。
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5.1mΩ @ 10V, 20A
    • 在给定栅极电压和漏极电流条件下,MOSFET的导通电阻,表示其在导通状态下的内部电阻。
  • 工作温度: -55℃ ~ +175℃
    • 指出该MOSFET可以在此温度范围内正常工作。
  • 栅极电荷(Qg@Vgs): 38.4nC @ 15V
    • 栅极电荷是指在特定栅极电压下,需要驱动栅极的电荷量。
  • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 最大允许的漏源电压,超过此值可能导致器件损坏。
  • 类型: 1个N沟道
    • 表示这是一个单个N沟道结构的MOSFET。
  • 输入电容(Ciss@Vds): 1.784nF @ 15V
    • 输入电容是指在特定漏源电压下,栅极与源极之间的电容值。
  • 连续漏极电流(Id): 95A
    • 最大允许的连续工作漏极电流。
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.2V @ 250uA
    • 在特定漏极电流条件下,栅极电压达到阈值时,MOSFET开始导通。

封装和品牌

  • 封装: TO-252-2
    • 标准的TO-252-2封装,适合于Surface Mount Technology(SMT)生产过程。
  • 品牌: 新洁能(NCE)
    • 由新洁能公司生产,保证了高质量和可靠性。

应用场景

电源供应器

NCE3095K 因其低导通电阻和高连续漏极电流,非常适合用于高功率电源供应器,如服务器电源、工业电源和汽车电源。低导通电阻减少了能量损耗,提高了整体效率。

电机驱动

在电机驱动应用中,NCE3095K 的高耐压和高电流能力使其成为理想选择。它可以承受高频率和高电流的要求,确保电机运行稳定且高效。

汽车电子

汽车电子系统对元器件的可靠性和耐久性要求非常高。NCE3095K 的宽工作温度范围和高耐压能力,使其非常适合用于汽车电子系统,如启动器、发电机和其他高功率应用。

工业控制系统

在工业控制系统中,NCE3095K 可以用于各种高功率控制应用,如变频器、软启动器和其他需要高性能MOSFET的设备。其低导通电阻和高连续漏极电流确保了系统的稳定性和效率。

优势

  1. 低导通电阻:
    • 仅5.1mΩ的导通电阻,大大减少了能量损耗,提高了系统整体效率。
  2. 高连续漏极电流:
    • 最高95A的连续漏极电流,满足了高功率应用的需求。
  3. 宽工作温度范围:
    • 从-55℃到+175℃的宽工作温度范围,适用于各种极端环境下的应用。
  4. 高耐压能力:
    • 最高30V的漏源电压,确保了在高压条件下稳定运行。
  5. 小型化封装:
    • 采用TO-252-2封装,适合于SMT生产过程,节省空间并提高生产效率。

总结

NCE3095K 是一款高性能N沟道MOSFET,通过其卓越的电气特性和可靠性,广泛应用于各类高功率电子设备。其低导通电阻、宽工作温度范围和高耐压能力,使其成为电源供应器、电机驱动、汽车电子和工业控制系统等领域的理想选择。选择NCE3095K,可以显著提高系统的效率、稳定性和可靠性。