APG077N01G

APG077N01G 场效应管（MOSFET）产品概述

概要

APG077N01G 是由铨力（ALLPOWER）公司生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），适用于各种高功率电子设备和系统。以下是对此产品的详细介绍。

基础参数

• 功率（Pd）: 105W
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 11pF @ 50V
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 10mΩ @ 4.5V, 40A
• 工作温度: -55℃ ~ +150℃
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 30nC @ 10V
• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 类型: 1个N沟道
• 输入电容（Ciss@Vds）: 3nF @ 50V
• 连续漏极电流（Id）: 60A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 3V @ 250uA

封装和尺寸

APG077N01G 采用 PDFN5x6-8L 封装，尺寸为 5.1mm x 5.8mm。这一小型化的封装设计使得该器件非常适合空间有限但要求高性能的应用场景。

性能特点

高功率处理能力

APG077N01G 具有 105W 的高功率处理能力，能够满足各种高功率应用的需求，如电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。

低导通电阻

该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为 10mΩ @ 4.5V, 40A，这意味着在导通状态下，器件内部的能量损耗非常低，从而提高了系统的整体效率和可靠性。

宽工作温度范围

APG077N01G 的工作温度范围从 -55℃ 到 +150℃，这使得它能够在极端环境下保持稳定运行，适用于各种严苛条件下的应用。

快速开关性能

栅极电荷（Qg）为 30nC @ 10V，表明该器件具有快速开关的能力，这对于需要高频率切换的应用来说是非常重要的。

高输入电容和低反向传输电容

输入电容（Ciss）为 3nF @ 50V，反向传输电容（Crss）为 11pF @ 50V，这些参数确保了器件在高频应用中表现出色的稳定性和低噪声特性。

应用场景

电源管理

APG077N01G 可用于各种电源管理系统，包括直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）等。其高功率处理能力和低导通电阻使得它特别适合高效能量转换应用。

电机驱动

在电机驱动领域，APG077N01G 可以作为主控器件，驱动高当前电流的电机。其快速开关性能和宽工作温度范围确保了系统的可靠性和高效运行。

汽车电子

由于其宽工作温度范围和高可靠性，APG077N01G 也非常适合用于汽车电子系统，如启动系统、燃油喷射系统等。

工业控制

在工业控制领域，APG077N01G 可用于各种自动化设备和控制系统，例如变频器、伺服驱动器等。其高性能特性能够满足这些应用对可靠性和效率的要求。

总结

APG077N01G 是一款高性能N沟道场效应管，通过其卓越的参数和小型化封装设计，能够满足各种高功率电子设备和系统的需求。其广泛的应用场景包括电源管理、电机驱动、汽车电子以及工业控制等领域。对于需要高效能量转换、快速开关性能以及宽工作温度范围的应用，APG077N01G 是一个理想的选择。