SQ3410EV-T1_GE3
SQ3410EV-T1_GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1005pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SQ3410EV-T1_GE3手册
SQ3410EV-T1_GE3概述
SQ3410EV-T1_GE3 产品概述
概要
SQ3410EV-T1_GE3 是由威世（VISHAY）公司生产的一款高性能、30V 8A 的表面贴装型 N 通道 MOSFET，适用于汽车电子应用。该器件采用金属氧化物半导体（MOSFET）技术，具有优秀的导通性能和低功耗特性。
基础参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 25°C 时连续漏极电流（Id）: 8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17.5 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时阈值电压（Vgs(th)）（最大值）: 2.5V @ 250µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷（Qg）（最大值）: 21nC @ 10V
- 栅极源极电压（Vgs）（最大值）: ±20V
- 不同 Vds 时输入电容（Ciss）（最大值）: 1005pF @ 15V
- 功率耗散（最大值）: 5W（Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
封装和安装
- 安装类型: 表面贴装型
- 供应商器件封装: 6-TSOP
- 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
应用场景
SQ3410EV-T1_GE3 适用于各种汽车电子系统，包括但不限于：
- 电动窗户和门锁系统
- 照明控制
- 音响和娱乐系统
- 安全系统（如防盗报警）
- 传感器和执行器驱动
优势特点
低导通电阻: SQ3410EV-T1_GE3 在 5A 和 10V 下具有极低的导通电阻（17.5 毫欧），这意味着它可以在高电流条件下保持低热量和高效率，减少能量损耗。
高阈值电压稳定性: 该器件的阈值电压（Vgs(th)）为 2.5V @ 250µA，这确保了在各种操作条件下稳定的开启和关闭行为。
低栅极电荷: 栅极电荷（Qg）仅为 21nC @ 10V，这使得器件在高频切换应用中表现出色，减少了开启和关闭时间，提高了系统的整体效率。
宽工作温度范围: 支持从 -55°C 到 175°C 的广泛工作温度范围，使其适用于各种严苛的环境条件下运行。
小尺寸封装: 采用 SOT-23-6 细型和 TSOT-23-6 封装，方便在空间有限的 PCB 设计中使用，提高了系统的集成度和可靠性。
高可靠性: 作为一款专为汽车电子应用设计的器件，SQ3410EV-T1_GE3 符合严格的汽车行业标准，确保了长期可靠运行和耐久性。
使用注意事项
热管理: 由于功率耗散限制为 5W，用户需要确保适当的散热措施，以避免过热导致的性能下降或故障。
栅极驱动: 由于栅极源极电压限制为 ±20V，用户应确保驱动电路不会超过此范围，以防止器件损坏。
电容匹配: 输入电容（Ciss）较高（1005pF @ 15V），因此在设计时需要考虑匹配电容和驱动能力，以确保稳定运行。
总结
SQ3410EV-T1_GE3 是一款高性能、可靠性强的 N 通道 MOSFET，专为汽车电子应用而设计。其低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围，使其成为各种汽车系统中的理想选择。通过遵循使用注意事项和适当的设计考虑，可以充分发挥该器件的优势，实现高效、可靠的系统运行。