功率(Pd) | 1.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 75pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@15V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 950pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
产品概述:AO3401 P沟道MOSFET
一、产品概述
AO3401是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效的电子开关和功率管理应用而设计。该产品由著名的半导体制造商LGE(鲁光)生产,具备优异的电气特性和可靠性,广泛应用于电源管理、负载开关、音频放大器及其他高频率的电源转换电路中。
二、主要特性
额定参数:
封装形式:
开关性能:
驱动要求:
温度范围:
三、应用场合
AO3401因其优异的电气特性和稳定性,适合广泛的应用场合,具体包括但不限于:
四、技术优势
高效率: 较低的导通电阻意味着在导通状态下减少功率损耗,从而提高整体电源效率,降低系统发热。
小型封装: SOT-23封装小巧便于集成,适合现代轻薄设计需求,便于设计人员在电路板上实现高密度布局。
通用性: AO3401适用于多种应用场合,具有灵活的驱动需求及广泛的工作电压,使得其在产品设计中极具适用性。
可靠性: LGE品牌在市场上的声誉以及严格的生产标准确保了AO3401在使用过程中的高可靠性,减少了故障发生的可能性。
五、总结
AO3401作为一款高效、可靠的P沟道MOSFET,凭借其优异的电气性能和广泛的应用领域,已经成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在高效电源管理、逻辑控制还是在负载开关方面,AO3401均表现出色,适合设计人员在各种应用中选用,助力提升产品的性能和效率。在选择场效应管时,AO3401无疑是一个值得考虑的优质选项。