HY1906D 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

HY1906D

商品编码: BM0224595720
品牌 : 
HUAYI(华羿微)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 75W 68V 70A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.13
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.13
--
100+
¥1.12
--
1250+
¥1.11
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

HY1906D参数

功率(Pd)75W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.5mΩ@10V,35A漏源电压(Vdss)68V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)70A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

HY1906D手册

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HY1906D概述

产品概述:HY1906D N沟道MOSFET

一、概述

HY1906D是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率达到75W,最大电压可达68V,允许最大电流为70A。采用TO-252-2封装(也称为DPAK),该元器件广泛应用于电源管理、电机驱动及其他高效能开关电路中,特别是在要求高电流和高效率的场合。

二、关键特性

  1. 高功率和高电流能力:HY1906D具有最高可达75W的功率输出和70A的电流承载能力,能够满足大多数中高功率应用的需求。

  2. 高耐压特性:该产品的最大漏源(V_DS)为68V,使其适用于多种电源电压范围的应用场合,能够有效防止在高压环境中出现的损坏。

  3. 低导通电阻:HY1906D具有低导通电阻特性,配合其高电流特性,能显著降低在开关过程中的功耗,提高能效。

  4. 良好的热稳定性:TO-252封装有助于散热,使得HY1906D在较高负载情况下运行稳定,延长器件的使用寿命。

  5. 简易电路设计:作为一种N沟道MOSFET,HY1906D易于与现有的电路设计兼容,并且能与不同的驱动电路配合使用,便于设计和实施。

三、应用领域

HY1906D的优越特性使其在多个领域得到了广泛应用,以下是一些具体应用实例:

  1. 电源管理:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,HY1906D因其高效能和低导通电阻,常用作开关组件,在高频率动作下表现出色。

  2. 电动机驱动:在电动机控制器中,HY1906D可作为驱动器,用于控制电动机启动、运行和停止,尤其在高功率和高电流要求的电动机应用中,能够提供稳定的控制。

  3. 消费电子产品:在电视、电脑、电池充电器等消费电子设备中,HY1906D常被用于电源管理,帮助控制能量分配和转换。

  4. 电动汽车:在电动汽车的动力系统中,HY1906D可以作为重要的功率开关元件,帮助实现高效的电力驱动和再生制动。

  5. 工业自动化:在工业控制和自动化设备中,HY1906D能够满足高电流驱动和快速切换的需求,提升系统的响应速度和效率。

四、总结

HY1906D N沟道MOSFET以其强大的性能特点、广泛的应用适应性和优良的电气特性,在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。无论是在电源控制、电机驱动,还是在消费电子和工业自动化领域,该产品都展示了卓越的可靠性和通用性,是设计师在选择高效开关元件时的理想选择。选择HY1906D,相信您能够设计出更高效、更稳健的电子系统。