注：图像仅供参考，请参阅产品规格
RD3L050SNTL1
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
TO-252
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 15W 60V 5A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.16按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.16
--
100+
￥2.44
--
1250+
￥2.12
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
RD3L050SNTL1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 109 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 15W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
RD3L050SNTL1手册
无数据
RD3L050SNTL1概述
产品概述：RD3L050SNTL1 N沟道MOSFET
一、基本信息
RD3L050SNTL1是一款高性能N沟道MOSFET，具有出色的电气特性和多样化的应用潜力。该器件由知名电子元器件制造商ROHM（罗姆）生产，采用TO-252封装，具备高达15W的功率耗散能力，漏源电压（Vdss）高达60V，连续漏极电流（Id）可达5A。产品的设计初衷是为现代电子电路提供高效的电源管理和开关控制方案。
二、主要特性
高电压与电流能力
- 最大漏源电压（Vdss）：60V，适合中等电压应用。
- 连续漏极电流（Id）：5A，提供可靠的性能，可以在多种环境下应用。
优良的导通特性
- 在10V驱动电压下，导通电阻（Rds On）最大值仅为109毫欧，确保了低功耗和高效率的开关性能。
- Vgs(th)的最大值为3V，意味着器件在较低的栅极驱动电压下就能顺利导通，有助于降低开关损耗。
节省空间的封装
- TO-252封装提供小型化解决方案，便于表面贴装，适合现代电子产品对空间的苛刻要求。
- 具有优良的热管理性能，能够在高温条件下保持稳定性能，工作温度可高达150°C。
优异的电气特性
- 输入电容（Ciss）最大值为290pF，确保快速开关特性，降低开关延迟。
- 栅极电荷（Qg）最大值为8nC，降低驱动功耗，适合高频应用。
三、应用场景
RD3L050SNTL1适用于各种高效电源转换电路，包括：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
- 电机驱动电路
- LED驱动器
- 接口电路
其高导电性、低功耗特性，使其在便携电子设备、家用电器及工业自动化设备中的应用也表现出色。
四、应用优势
RD3L050SNTL1凭借其优秀的电气参数设计和ROHM的品牌信誉，为设计师提供了可靠的选择，能够优化电路设计，并在降低成本的同时提升系统性能。高温范围和表面贴装封装的设计使其更适合现代生产工艺和严苛的使用环境。
五、总结
RD3L050SNTL1作为一款N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性、优秀的散热性能及小型化的封装形式，为各类电子应用提供可靠的解决方案。无论是在工业、消费电子或电动交通工具等多种领域，RD3L050SNTL1都能展现出色的性能，助力创新技术的发展。