MDD3400 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MDD3400

商品编码: BM0224385408
品牌 : 
MDD
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 27mΩ@10V 30V 5.8A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2890(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.227
--
1500+
¥0.142
--
3000+
¥0.098
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MDD3400参数

功率(Pd)1.5W反向传输电容(Crss@Vds)40pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)27mΩ@10V
工作温度-50℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10.5nC@15V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)635pF@15V连续漏极电流(Id)5.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

MDD3400手册

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MDD3400概述

MDD3400 产品概述

1. 引言

MDD3400是一款高效能的N沟道场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装,专为低电压和高电流应用设计。其主要特性包括超低导通阻抗(27mΩ@10V)、耐压能力达到30V,以及最大持续电流高达5.8A。这些特性使得MDD3400在现代电子设备中具有极高的应用价值。

2. 主要特点

  • 超低导通阻抗:27mΩ的导通阻抗在10V的栅压下,意味着在开启状态下,MDD3400能够提供极低的功率损耗。这对于要求高效率和低热量产生的电子电路,特别是在开关电源和电机驱动中尤为重要。
  • 电流能力:最大电流可达5.8A,确保了该MOSFET适用于多种高功率应用,包括LED驱动、电源管理和音频放大器等。
  • 耐压特性:30V的耐压水平使其适用于大多数中低压电子产品,为设计师提供了更大的灵活性。

3. 结构与封装

MDD3400采用SOT-23封装,这是一种小型、轻便且成为广泛使用的表面贴装封装形式。SOT-23封装的设计使得MDD3400在空间有限的应用中依然能够实现高效散热和电气性能。这种封装非常适合于移动设备和小型电子产品的集成,使他们能够更紧凑且更高效。

4. 应用场景

MDD3400可应用于多种电子电路和设备中,包括但不限于:

  • 开关电源:在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,MDD3400可以有效地控制电源的开关状态,提高整体能效,降低待机功耗。
  • 电机控制:在电动机驱动器和伺服系统中,其高电流能力和低导通阻抗使得MDD3400可以快速响应电动机负载变化,从而实现精准控制。
  • LED驱动:在LED照明和显示应用中,MDD3400可以作为开关元件,通过调节电流以控制LED的亮度和色彩。
  • 移动设备:由于其小巧的封装形式,MDD3400适用于手机、平板和其他便携式电子设备,其中效率和空间利用率至关重要。

5. 性能参数

以下是MDD3400的一些关键性能参数:

参数
封装SOT-23
导通阻抗 (RDS(on))27mΩ@10V
耐压 (VDS)30V
最大漏极电流 (ID)5.8A
门源阈值电压 (VGS)2V - 4V
工作温度范围-55°C to +150°C

6. 结论

MDD3400由于其极低的导通阻抗、适中的耐压与电流能力,适用于广泛的电力管理与控制应用,是现代电子产品不可或缺的组件之一。无论是在高效的开关电源、精确的电机驱动,还是在紧凑的便携设备中,它都能提供卓越的性能和可靠性。考虑到日益增长的节能需求和小型化趋势,MDD3400无疑是各类设计工程师的理想选择。