功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@10V |
工作温度 | -50℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@15V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 635pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
MDD3400是一款高效能的N沟道场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装,专为低电压和高电流应用设计。其主要特性包括超低导通阻抗(27mΩ@10V)、耐压能力达到30V,以及最大持续电流高达5.8A。这些特性使得MDD3400在现代电子设备中具有极高的应用价值。
MDD3400采用SOT-23封装,这是一种小型、轻便且成为广泛使用的表面贴装封装形式。SOT-23封装的设计使得MDD3400在空间有限的应用中依然能够实现高效散热和电气性能。这种封装非常适合于移动设备和小型电子产品的集成,使他们能够更紧凑且更高效。
MDD3400可应用于多种电子电路和设备中,包括但不限于:
以下是MDD3400的一些关键性能参数:
参数 | 值 |
---|---|
封装 | SOT-23 |
导通阻抗 (RDS(on)) | 27mΩ@10V |
耐压 (VDS) | 30V |
最大漏极电流 (ID) | 5.8A |
门源阈值电压 (VGS) | 2V - 4V |
工作温度范围 | -55°C to +150°C |
MDD3400由于其极低的导通阻抗、适中的耐压与电流能力,适用于广泛的电力管理与控制应用,是现代电子产品不可或缺的组件之一。无论是在高效的开关电源、精确的电机驱动,还是在紧凑的便携设备中,它都能提供卓越的性能和可靠性。考虑到日益增长的节能需求和小型化趋势,MDD3400无疑是各类设计工程师的理想选择。