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FQT5P10TF
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-223-4
包装 :
编带
重量 :
0.202g
描述 :
P 沟道，QFET® MOSFET，-100V，-1.0A，1.05Ω
库存 :
50(起订量1,增量1)
批次 :
25+数量 :
X
3.37按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.37
--
100+
￥2.205
--
1000+
￥2.184
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述
FQT5P10TF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
FQT5P10TF手册
无数据
FQT5P10TF概述
FQT5P10TF 产品概述
FQT5P10TF 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)，由安森美（ON Semiconductor）公司推出。该产品适用于多种电子应用，如电源管理、负载开关及低功耗设备。这款器件凭借其高压、高效率的性能，能够在严格的工作条件下提供可靠的电流控制和开关能力。
主要规格
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: -100V
- 连续漏极电流（Id）: -1A (在 Tc = 25°C 时)
- 最大 Rds(on): 1.05Ω (在 Vgs = -10V，Id = -500mA 时)
- Vgs(th)（最大值）: -4V (在 Id = -250µA 时)
- Vgs（最大值）: ±30V
- 栅极电荷（Qg）: 8.2nC (在 Vgs = -10V 时)
- 输入电容 (Ciss): 250pF (在 Vds = -25V 时)
- 功率耗散 (Pd): 2W (Tc = 25°C)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装类型: SOT-223-4
产品特性
FQT5P10TF 作为一种 P 沟道 MOSFET，具有较高的漏源电压，适合需要高电压的应用场合。该器件的最大漏源电压为 -100V，能够处理较大的反向电压，因此非常适合用于高压开关电路。此外，-1A 的连续漏极电流能力使其能在多种实际应用场景中保持高效率。
在驱动电压方面，该 MOSFET 的最大 Rds(on) 为 1.05Ω，在 -500mA 电流和 -10V 的栅极驱动电压下测试得出。这一功能确保了在开关过程中电流损耗的最小化，有效提高了电路的整体效率。其栅极阈值电压 Vgs(th) 在 -250µA 的 условия下为 -4V，限制了在打开状态下所需的控制电压，降低了驱动电路的复杂性。
应用场景
FQT5P10TF 的应用范围十分广泛，特别适合以下场景：
- 电源管理： 在开关电源设计中，这款 MOSFET 可用于主开关元件，以实现高效能的能量转换。
- 马达驱动： 在直流电机驱动应用中，能够有效控制电机的启停，提供良好的调速性能。
- 负载开关： 可以用于负载开关控制，确保在过载或短路情况下，设备能够及时切断电源，保护下游电路。
- 便携式电子设备： 由于其低导通电阻和小型封装，特别适合用于智能手机、平板电脑及其他小型便携式设备的电源管理。
封装与安装
FQT5P10TF 采用 SOT-223-4 表面贴装封装，适合现代电子设备的高密度安装需求。该封装不仅能够提供良好的热管理能力，还能保证在电路板上的占用空间最小化，适合紧凑型设计要求。
总结
FQT5P10TF 是一款性能优异的 P 通道 MOSFET，具备高漏源电压和低导通电阻，能够满足多种高压和低功耗应用场合的需求。其稳健的电气特性与灵活的适用性使其在当今电子设计中占据了重要位置。凭借安森美的品牌背书，该器件的质量和可靠性得到了广泛认可，是电子工程师们在开发新项目时的理想选择。