击穿电压 | 3.8V | 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V |
商品分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | 峰值脉冲电流(Ipp) | 10A@8/20us |
最大钳位电压 | 8V | 类型 | TVS |
ESD9B3.3ST5G-N 是伯恩半导体(BORN)推出的一款静电放电(ESD)保护器件,设计用于保护敏感电子元器件免受静电放电和电压瞬变的影响。该产品采用 DFN1006-2 封装,具有优异的电气特性和小巧的体积,适合各种应用场景中对空间非常敏感的设计。
静电保护: ESD9B3.3ST5G-N 能够有效地抑制静电放电事件,保护微电子组件及电路免受高达 ±15kV 的静电放电(IEC61000-4-2)损害,确保系统的长期稳定性和可靠性。
低钳位电压: 该器件在工作过程中能够提供低钳位电压,确保在过压情况下不会对下游元器件产生损伤。其额定钳位电压在 3.3V 附近,有助于提升元器件的安全性。
快速响应时间: ESD9B3.3ST5G-N 的响应时间非常快,能够在亚微秒级别内达到保护效果,有效地抵御尖峰电压对敏感电路的影响。
小型化封装: DFN1006-2 封装的设计使得产品占用空间小,这对于现代电子产品追求越来越小型化的趋势而言尤其重要。其小巧的外形使得在设计 PCB 板时,能够更为灵活。
高重复性: 在经历多次 ESD 事件后,ESD9B3.3ST5G-N 仍能保持良好的性能,保障产品的稳健性,适合长时间的工业应用。
ESD9B3.3ST5G-N 适用于多种应用场景,主要包括:
为确保设计的准确性,设计师在选用 ESD9B3.3ST5G-N 时,需要考虑以下关键参数:
ESD9B3.3ST5G-N 是一款高效的静电保护器件,能够为敏感电子系统提供强有力的防护,确保其在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其小巧的封装和卓越的电气性能,使其成为现代电子产品设计中的理想选择。通过采用 ESD9B3.3ST5G-N,设计工程师能够有效地提升产品的抗干扰能力,延长产品的使用寿命,提高消费者的使用体验。