PMZ1200UPEYL
PMZ1200UPEYL参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 410mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta），1.67W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.2nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 43.2pF @ 15V |
PMZ1200UPEYL手册
PMZ1200UPEYL概述
PMZ1200UPEYL 产品概述
1. 产品简介
PMZ1200UPEYL是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能P沟道MOSFET（场效应管），专为低功耗应用而设计。该器件采用表面贴装（SMD）封装，具备优异的电气特性和广泛的工作温度范围，适合多种电子应用，包括电源管理、开关电源、LED驱动以及汽车和工业设备。
2. 关键特性
- 类型: P通道MOSFET
- 封装: DFN1006-3
- 额定电流: 410mA @ 25°C
- 最大源漏电压(Vds): 30V
- 导通电阻(Rds On): 情况下最大值为1.4Ω，@410mA和4.5V
- 最大功率耗散: 310mW（环境温度下），1.67W（结温下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 驱动电压: 1.5V至4.5V
- 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值950mV @ 250µA
- 栅极电荷(Qg): 最大值1.2nC @ 4.5V
- 输入电容(Ciss): 最大值43.2pF @ 15V
3. 详细参数解析
PMZ1200UPEYL作为一款P沟道MOSFET，其具有相较于N沟道MOSFET不同的工作原理。在实际应用中，P沟道MOSFET往往用于高侧开关电路。当控制信号为低电平时，器件导通，从而允许电流从源极流向漏极。
该器件在设计上强调低导通电阻，以减少能量损耗并提高效率。410mA的连续漏电流能力使其在负载要求较低的场合运行良好。最高30V的源漏电压则适合用于多种中等电压电源应用中。
4. 应用场景
PMZ1200UPEYL由于其适应范围广泛的电气特性，适合多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 适合用于提升电源转换效率的开关网络。
- LED驱动: 常用于控制LED灯的开关，确保稳定的电流流动。
- 汽车电子: 在汽车控制模块中，可以用于驱动电机和其他电气负载。
- 消费电子: 可用于电视、音响等设备，以实现高效的电源开关管理。
5. 绝缘与散热
得益于其较低的功率耗散特性，PMZ1200UPEYL能够在长时间使用中维持较低的温度。然而，通过适当的散热设计，结合外部散热器或适当的电路布局，可以进一步提升器件的工作性能和稳定性。
6. 竞争优势
作为Nexperia的一款产品，PMZ1200UPEYL不仅具备高性价比，还享有品牌的市场认可度。Nexperia在MOSFET领域的研发投入以及对产品质量的严格把控，使得PMZ1200UPEYL在稳定性和一致性方面表现出色。另外，紧凑的DFN1006-3封装设计也为其在尺寸受限的应用场景中提供了更好的灵活性。
7. 总结
PMZ1200UPEYL是Nexperia推出的一款性能卓越的P沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性、广泛的工作温度范围和优越的功率管理能力，能够满足各类现代电子设备的需求。无论是在电源管理、汽车电子还是LED驱动领域，PMZ1200UPEYL都将是值得信赖的选择，确保整个电路系统的高效与稳定运行。